BAS19 ... BAS21
BAS19 ... BAS21
Fast Switching Surface Mount Si-Planar Diodes
Schnelle Si-Planar-Dioden für die Oberflächenmontage
Version 2011-07-13
Power dissipation – Verlustleistung
2.9
±0.1
0.4
3
max
250 mW
120...250 V
SOT-23
(TO-236)
0.01 g
1.1
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
Plastic case
Kunststoffgehäuse
Weight approx. – Gewicht ca.
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
±0.1
1
2
1.9
Dimensions - Maße [mm]
1=A
2 = n.c./frei
3=C
Maximum ratings (T
A
= 25°C)
Type
Typ
BAS19
BAS20
BAS21
Power dissipation − Verlustleistung
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
t
p
≤ 1 s
t
p
≤ 1 µs
Continuous reverse voltage
Dauersperrspannung
V
R
[V]
100
150
200
P
tot
I
FAV
I
FRM
I
FSM
I
FSM
T
j
T
S
2.5
1.3
Type
Code
Grenzwerte (T
A
= 25°C)
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
)
120
200
250
250 mW
)
200 mA
1
)
625 mA
1
)
0.5 A
2.5 A
- 55...+150°C
- 55…+150°C
Characteristics (T
j
= 25°C)
Forward voltage
Durchlass-Spannung
Leakage current
Sperrstrom
T
j
= 25°C
T
j
= 150°C
I
F
= 100 mA
I
F
= 200 mA
V = V
R
V = V
R
V
F
V
F
I
R
I
R
Kennwerte (T
j
= 25°C)
< 1.00 V
< 1.25 V
< 100 nA
< 100 µA
1
2
Tested with 100 µA pulses – Gemessen mit 100 µA-Impulsen
Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
1
DIOTEC [ DIOTEC SEMICONDUCTOR ]
