欢迎访问ic37.com |
会员登录 免费注册
发布采购

DTU4N60 参数 Datasheet PDF下载

DTU4N60图片预览
型号: DTU4N60
PDF下载: 下载PDF文件 查看货源
内容描述: 功率MOSFET降低栅极驱动要求 [Power MOSFET Reduced Gate Drive Requirement]
分类和应用: 栅极栅极驱动
文件页数/大小: 11 页 / 2101 K
品牌: DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
 浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第9页  
DTP4N60/DTP4N60F/DTU4N60/DTL4N60
www.din-tek.jp
2400
2000
I
SD
,反向漏电流( A)
电容(pF)
V
GS
= 0 V , F = 1兆赫
C
国际空间站
= C
gs
+ C
gd
, C
ds
C
RSS
= C
gd
C
OSS
= C
ds
+ C
gd
C
国际空间站
1600
1200
C
OSS
800
400
0
10
0
10
1
C
RSS
10
1
150
°
C
25
°
C
10
0
0.6
91114_07
V
GS
= 0 V
0.8
1.0
1.2
1.4
91114_05
V
DS ,
漏极至源极电压( V)
V
SD
,源极到漏极电压(V )
图。 5 - 典型的电容与漏 - 源极电压
图。 7 - 典型的源漏二极管正向电压
20
V
GS
,栅 - 源极电压( V)
I
D
= 3.2 A
V
DS
= 300 V
10
3
5
2
在这一领域有限
由R
DS ( ON)
16
I
D
,漏电流( A)
10
2
5
2
V
DS
= 240 V
12
V
DS
= 180 V
10
5
2
10
µs
100
µs
1
ms
10
ms
T
C
= 25
°C
T
J
= 150
°C
单脉冲
0.1
2
5
8
1
5
2
4
测试电路
见图13
0.1
5
2
0
0
91114_06
10
-2
8
16
24
32
40
91114_08
1
2
5
10
2
5
10
2
2
5
10
3
2
5
10
4
Q
G
,总栅极电荷( NC)
V
DS
,漏极至源极电压( V)
图。 8 - 最高安全工作区
图。 6 - 典型栅极电荷与栅极至源极电压
4