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    DTU4N60 参数 Datasheet PDF下载

    DTU4N60图片预览
    型号： DTU4N60
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 功率MOSFET降低栅极驱动要求 [Power MOSFET Reduced Gate Drive Requirement]
    分类和应用： 栅极栅极驱动
    文件页数/大小： 11 页 / 2101 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第8页浏览型号DTU4N60的Datasheet PDF文件第9页  
    DTP4N60/DTP4N60F/DTU4N60/DTL4N60
    www.din-tek.jp
    典型特征
    （25℃ ，除非另有说明）
    10
    1
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    0
    4.5 V
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    V
    GS
    15 V
    10 V
    8.0 V
    7.0 V
    6.0 V
    5.5 V
    5.0 V
    底部4.5 V
    顶部
    10
    1
    150
    °
    C
    25
    °
    C
    10
    0
    10
    -1
    20 μs的脉冲宽度
    T
    C
    =
    25 °C
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    10
    -2
    10
    -2
    91114_01
    10
    -1
    4
    91114_03
    20 μs的脉冲宽度
    V
    DS
    =
    100 V
    5
    6
    7
    8
    9
    10
    V
    DS
    ，漏极至源极电压（ V）
    图。 1 - 典型的输出特性，T
    C
    = 25 °C
    V
    GS ，
    栅极 - 源极电压（ V）
    图。 3 - 典型的传输特性
    R
    DS （ ON）
    ，漏极 - 源极导通电阻
    （归一化）
    10
    1
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    10
    0
    V
    GS
    顶部
    15 V
    10 V
    8.0 V
    7.0 V
    6.0 V
    5.5 V
    5.0 V
    底部4.5 V
    3.5
    3.0
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    I
    D
    = 4 A
    V
    GS
    = 10 V
    4.5 V
    10
    -1
    10
    -2
    10
    -2
    91114_02
    20 μs的脉冲宽度
    T
    C
    =
    150 °C
    10
    -1
    10
    0
    10
    1
    10
    2
    0.0
    - 60 - 40 - 20 0
    20 40 60 80 100 120 140 160
    V
    DS ，
    漏极至源极电压（ V）
    91114_04
    T
    J,
    结温（ ° C）
    图。 2 - 典型的输出特性，T
    C
    = 150 °C
    图。 4 - 归通电阻与温度的关系
    3

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