DTP4N60/DTP4N60F/DTU4N60/DTL4N60
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热电阻额定值
参数
最大结点到环境
案件到水槽，平面，脂表面
最大结至外壳（漏）
符号
R
thJA
R
乡镇卫生院
R
thJC
典型值。
-
0.50
-
马克斯。
62
-
1.0
° C / W
单位
特定网络阳离子
(T
J
= 25 ℃，除非另有说明）
参数
STATIC
漏源击穿电压
V
DS
温度COEF网络cient
门源阈值电压
栅源漏
零栅极电压漏极电流
漏源导通电阻
正向跨导
动态
输入电容
输出电容
反向传输电容
总栅极电荷
栅极 - 源电荷
栅极 - 漏极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
内部排水电感
内部源极电感
漏源体二极管特性
连续源极 - 漏极二极管电流
脉冲二极管正向
体二极管电压
体二极管反向恢复时间
体二极管反向恢复电荷
向前开启时间
当前
a
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
rr
t
on
MOSFET符号
展示
整体反转
P - N结二极管
T
J
= 25 ° C，I
S
= 4 A，V
D
符号
测试条件
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
V
DS
V
DS
/T
J
V
GS （ TH）
I
GSS
I
DSS
R
DS （ ON）
g
fs
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
Q
g
Q
gs
Q
gd
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
L
D
L
S
V
GS
= 0 V，I
D
= 250 μA
参考至25℃ ，我
D
= 1毫安
V
DS
= V
GS
, I
D
= 250 μA
V
GS
=
20
V
DS
= 600 V, V
GS
= 0 V
V
DS
= 480 V, V
GS
= 0 V ，T
J
= 125 °C
V
GS
= 10 V
I
D
= 3.7 A
b
V
DS
= 100 V，I
D
= 3.7 A
b
600
-
2.0
-
-
-
-
3.7
-
0.70
-
-
-
-
-
-
-
-
4.0
± 100
100
500
2.2
-
V
V /°C的
V
nA
μA
S
V
GS
= 0 V
V
DS
= 25 V
F = 1.0兆赫，见图。五
-
-
-
-
1100
140
15
-
-
-
12
20
27
17
4.5
7.5
-
-
-
39
10
19
-
-
-
-
-
nH
-
ns
nC
pF
V
GS
= 10 V
I
D
= 4 A，V
DS
= 360 V,
参见图。 6和13
b
-
-
-
V
DD
= 300 V，I
D
= 4 A
R
g
= 9.1
,
R
D
= 47 ，见图。 10
b
-
-
-
铅之间，
从6毫米（ 0.25" ）
封装中心
模具接触
D
-
-
G
S
-
-
-
b
-
-
-
440
2.1
4.0
A
25
1.5
680
3.2
V
ns
μC
G
S
GS
= 0 V
b
T
J
= 25 ° C，I
F
= 4 A， di / dt的= 100 A / μs的
-
-
固有的导通时间是可以忽略的（导通用L为主
S
和L
D
)
笔记
一。重复评价;脉冲宽度有限的最大结点温度（参见图11）。
B 。脉冲宽度
300微秒;占空比
2 %.
2
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