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    DTM4435_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTM4435_13图片预览
    型号： DTM4435_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P通道30 -V （ DS ） MOSFET TrenchFET功率MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 1542 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第3页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第8页  
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    2.0
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（标准化）
    I
    D
    = 8 A
    1.7
    V
    GS
    = 10 V
    I
    S
    -
    来源
    电流（A ）
    10
    T
    J
    = 150
    °C
    100
    www.din-tek.jp
    DTM4435
    1.4
    1
    T
    J
    = 25
    °C
    0.1
    1.1
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.8
    0.01
    0.5
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    0.001
    0.0
    0.2
    0.4
    0.6
    0.8
    1.0
    1.2
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    V
    SD
    -
    源极到漏极
    电压（V）的
    导通电阻与结温
    1.0
    - 30
    源漏二极管正向电压
    I
    D
    = 1毫安
    0.7
    I
    D
    = 250 μA
    V
    GS （ TH）
    方差（ V）
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    175
    - 32
    0.4
    I
    D
    = 5毫安
    0.1
    - 34
    - 36
    - 0.2
    - 38
    - 0.5
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    - 40
    - 50 - 25
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    175
    T
    J
    - 温度（℃ ）
    T
    J
    - 结温（ ° C）
    阈值电压
    漏源击穿与结温
    10
    I
    DM
    有限
    100 µs
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    5
    受
    R
    DS （ ON）
    *
    1毫秒
    10毫秒
    1
    100毫秒
    1s
    10秒， DC
    0.1
    T
    C
    = 25 °C
    单脉冲
    BVDSS有限公司
    0.01
    0.01
    *
    V
    GS
    100
    0.1
    1
    10
    V
    DS
    - 漏 - 源
    电压
    (V)
    最低
    V
    GS
    at
    哪
    R
    DS （ ON）
    为特定网络版
    安全工作区
    4

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