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    DTM4435_13 参数 Datasheet PDF下载

    DTM4435_13图片预览
    型号： DTM4435_13
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： P通道30 -V （ DS ） MOSFET TrenchFET功率MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
    分类和应用：
    文件页数/大小： 8 页 / 1542 K
    品牌： DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]
     浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第1页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第2页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第4页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第5页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第6页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第7页浏览型号DTM4435_13的Datasheet PDF文件第8页  
    典型特征
    (T
    A
    = 25 ℃，除非另有说明）
    30
    V
    GS
    = 10 V直通5 V
    20
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    www.din-tek.jp
    DTM4435
    50
    40
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    10
    V
    GS
    = 4 V
    5
    30
    20
    T
    C
    = 25
    °C
    2
    V
    GS
    = 3 V
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    10
    T
    C
    = 125
    °C
    T
    C
    = - 55
    °C
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    10
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    输出特性
    40
    0.05
    传输特性
    g
    fs
    - 跨导（S ）
    T
    C
    = 25 °C
    24 T
    C
    = - 55 °C
    R
    DS （ ON）
    - 导通电阻（ Ω ）
    32
    0.04
    0.03
    V
    GS
    = 4.5 V
    0.02
    16
    T
    C
    = 125 °C
    8
    0.01
    V
    GS
    = 10 V
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    0.00
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    I
    D
    - 漏电流（ A）
    跨
    3000
    10
    导通电阻与漏电流
    V
    GS
    -
    栅极 - 源
    电压（V）的
    2500
    Ç - 电容（pF ）
    I
    D
    = 4.6 A
    8
    2000
    C
    国际空间站
    6
    1500
    4
    1000
    C
    OSS
    C
    RSS
    0
    0
    5
    10
    15
    20
    25
    30
    V
    DS
    - 漏极至源极电压（ V）
    500
    2
    0
    0
    10
    20
    30
    40
    50
    Q
    g
    - 总
    门
    费（ NC ）
    电容
    栅极电荷
    3

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