DTM4435_13 参数 Datasheet PDF下载

型号：	DTM4435_13
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内容描述：	P通道30 -V （ DS ） MOSFET TrenchFET功率MOSFET [P-Channel 30-V (D-S) MOSFET TrenchFET Power MOSFET]
分类和应用：
文件页数/大小：	8 页 / 1542 K
品牌：	DINTEK [ DinTek Semiconductor Co,.Ltd ]

P通道30 -V （D -S ）的MOSFET

产品概述

(V)

DS （ ON）

（  ）在V

= - 10 V

DS （ ON）

（  ）在V

= - 4.5 V

(A)

CON组fi guration

- 30

0.016

0.022

-8

单身

www.din-tek.jp

DTM4435

特点

•

无卤符合IEC 61249-2-21

德网络nition

• TrenchFET

功率MOSFET

• 100 % R

和UIS测试

•符合RoHS指令2002/95 / EC

应用

•适配器开关

•笔记本

SO-8

顶视图

P沟道MOSFET

绝对最大额定值

= 25 ℃，除非另有说明）

参数

漏源电压

栅源电压

连续漏电流

连续源电流（二极管传导）

漏电流脉冲

单脉冲雪崩电流

单脉冲雪崩能量

最大功率耗散

工作结存储温度范围

L = 0.1 mH的

= 25 °C

= 125 °C

= 25 °C

= 125 °C

符号

, T

英镑

极限

- 30

± 20

-8

- 6.7

- 6.2

- 60

- 25

6.8

2.3

- 55〜 + 175

°C

单位

热电阻额定值

参数

结到环境

结到脚（漏极）

注意事项：

一。表面安装在1" X 1" FR4板。

B 。 T = 10秒。

Ç 。在稳态条件下最大为80 ° C / W 。

ð 。基于T

= 25 °C.

印刷电路板安装

符号

thJA

thJF

极限

单位

° C / W

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