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BTB772I3 参数 Datasheet PDF下载

BTB772I3图片预览
型号: BTB772I3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 218 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech Electronics Corp.
Characteristic Curves
Current gain vs Collector current
1000
VCE=5V
Spec. No. : C817I3-H
Issued Date : 2003.04.02
Revised Date: 2009.02.04
Page:3/5
C-E saturation voltage vs Collector current
C-E saturation voltage---VCE(SAT)(mV)
10000
Current gain---HFE
1000
100
VCE=2V
100
IC=40IB
VCE=1V
10
IC=10IB
1
1
10
100
1000
10000
Collector current---IC(mA)
IC=20IB
10
1
10
100
1000
10000
Collector current---IC(mA)
B-E saturation voltage vs Collector current
10000
B-E saturation---VBE(SAT)(mV)
Power derating curves
12
Power Dissipation---(W)
10
8
6
4
2
0
Ta=25℃
Tc=25℃
IC=10IB
1000
100
1
10
100
1000
10000
Collector current---IC(mA)
0
50
100
150
200
Temperature---(℃)
Recommended Storage Condition:
Temperature : 10~ 35
°C
Humidity : 30~ 60% RH
BTB772I3
CYStek Product Specification