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BTA1952I3 参数 Datasheet PDF下载

BTA1952I3图片预览
型号: BTA1952I3
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内容描述: 低VCESAT PNP外延平面晶体管 [Low Vcesat PNP Epitaxial Planar Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 215 K
品牌: CYSTEKEC [ CYSTECH ELECTONICS CORP. ]
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CYStech Electronics Corp.
Characteristic Curves
Current Gain vs Collector Current
1000
10000
VCE(SAT)
Saturation Voltage---(mV)
Current Gain---HFE
1000
IC=20IB
Spec. No. : C601I3
Issued Date : 2005.10.14
Revised Date : 2009.02.04
Page No. : 3/ 5
Saturation Voltage vs Collector Current
100
100
VCE=1V
10
IC=10IB
10
1
10
100
1000
10000
Collector Current---IC(mA)
1
1
10
100
1000
10000
Collector Current---IC(mA)
Saturation Voltage vs Collector Current
10000
Power Derating Curve
1.2
Power Dissipation---PD(W)
Saturation Voltage---(mV)
VBE(SAT) @ IC=10IB
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
1000
100
1
10
100
1000
Collector Current---IC(mA)
10000
0
50
100
150
200
Ambient Temperature---TA(℃)
Power Derating Curve
30
Power Dissipation---PD(W)
25
20
15
10
5
0
0
50
100
150
200
Case Temperature---TC(℃)
BTA1952I3
CYStek Product Specification