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CY7C1370D-167AXC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1370D-167AXC图片预览
型号: CY7C1370D-167AXC
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内容描述: 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 [18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器时钟
文件页数/大小: 28 页 / 462 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1370D
CY7C1372D
真值表
[1, 2, 3, 4, 5, 6, 7]
手术
取消选择周期
CONTINUE DESELECT周期
读周期(开始爆发)
读周期(继续爆发)
NOP /虚读(开始爆发)
虚读(继续爆发)
写周期(开始爆发)
写周期(继续爆发)
NOP /写入中止(开始爆发)
写入中止(继续爆发)
忽略时钟边沿(失速)
睡眠模式
地址
二手
NEXT
NEXT
NEXT
NEXT
当前
CE
H
X
L
X
L
X
L
X
L
X
X
X
ZZ
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
ADV / LD
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
X
X
WE
X
X
H
X
H
X
L
X
L
X
X
X
BW
x
X
X
X
X
X
X
L
L
H
H
X
X
OE
X
X
L
L
H
H
X
X
X
X
X
X
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H
X
CEN
CLK
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
L-H
X
DQ
三州
三州
数据输出( Q)
数据输出( Q)
三州
三州
数据输入(D )
数据输入(D )
三州
三州
三州
注意事项:
1, X = “无需关注” , H =逻辑高电平,L =逻辑低电平,CE代表所有的芯片使能有效。 BWX = L表示的至少一个字节写选有效, BWX =有效
意味着所需的字节写选择都有效,请参见写周期说明表的详细信息。
2.写由WE和BW定义
X
。见写周期说明表的详细信息。
3.当检测到写入周期,所有的I / O是三态,即使是在字节写入。
4. DQ和DQP引脚由当前的周期和OE信号控制。
5. CEN = H插入等待状态。
6.设备将开机了取消和I / O的一个三态条件下,无论OE 。
7. OE是异步的,并且不采样与时钟的上升。这是写cycles.During一个读周期DQ在内部被屏蔽
s
和DQP
X
=三态时, OE
处于非活动状态,或当装置被选中,和DQ
s
=当OE为活跃的数据。
文件编号: 38-05555牧师* ˚F
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