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CY7C1370D-167AXC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1370D-167AXC图片预览
型号: CY7C1370D-167AXC
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内容描述: 18兆位( 512K ×36 / 1M ×18 )流水线式SRAM与NoBL⑩架构 [18-Mbit (512K x 36/1M x 18) Pipelined SRAM with NoBL? Architecture]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器时钟
文件页数/大小: 28 页 / 462 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1370D
CY7C1372D
引脚德网络nitions
引脚名称
A0
A1
A
BW
a
BW
b
BW
c
BW
d
WE
ADV / LD
I / O类型
引脚说明
输入 -
用于选择的地址位置中的一个地址输入。
取样的上升沿
同步的CLK 。
输入 -
字节写选择输入,低电平有效。
合格与我们进行写入SRAM 。
同步采样在CLK的上升沿。 BW
a
控制DQ
a
和DQP
a
, BW
b
控制DQ
b
和DQP
b
,
BW
c
控制DQ
c
和DQP
c
, BW
d
控制DQ
d
和DQP
d
.
输入 -
写使能输入,低电平有效。
采样CLK的上升沿,如果CEN为低电平有效。这
同步信号必须被置为低电平来启动写序列。
输入 -
前进/负载输入用于推进芯片地址计数器或加载一个新的地址。
同步当高(和CEN为低电平)内部突发计数器先进。 LOW时,一
新的地址可以被装载到该装置用于接入。被取消后, ADV / LD应
被驱动为低,以装入新的地址。
输入 -
时钟
时钟输入。
用于捕获所有的同步输入到设备中。 CLK为合格与CEN 。
如果CEN为低电平有效CLK时,才能识别。
CLK
CE
1
CE
2
CE
3
OE
输入 -
芯片使能1输入,低电平有效。
采样在CLK的上升沿。配合使用
同步CE
2
和CE
3
选择/取消选择该设备。
输入 -
芯片使能2输入,高电平有效。
采样在CLK的上升沿。配合使用
同步与CE
1
和CE
3
选择/取消选择该设备。
输入 -
芯片使能3输入,低电平有效。
采样在CLK的上升沿。配合使用
同步CE
1
和CE
2
选择/取消选择该设备。
输入 -
输出使能,低电平有效。
结合装置内部的同步逻辑块
异步控制的I / O引脚的方向。当低时,I / O引脚被允许表现为输出。
当拉高高, I / O引脚为三态,并作为输入数据引脚。在OE被屏蔽
从取消新兴当一个写序列的数据部分,在所述第一时钟
状态,当设备被取消。
输入 -
时钟使能输入,低电平有效。
当置位低电平的时钟信号被识别
同步SRAM 。当无效高电平的时钟信号被屏蔽。由于取消断言CEN不
取消选择该设备,岑可用于在需要时扩展的前一周期。
I / O-
双向数据I / O线。
作为输入,它们馈入,则触发芯片上的数据寄存器
同步由CLK的上升沿。作为输出,它们提供包含在存储位置中的数据
由指定的
[17:0]
在读周期的前一个时钟的上升。引脚的方向
通过OE和内部控制逻辑控制。当OE为低电平时,引脚可以表现
为输出。当HIGH , DQ
a
-DQ
d
被放置在一个三态条件。输出是automat-
出现在写入序列的数据部分,在第一时钟期间ically三态
从取消选择状态,当设备被取消,不管OE的状态。
I / O-
双向数据奇偶校验I / O线。
在功能上,这些信号是相同的DQ
s
。在写
同步序列, DQP
a
通过控制体重
a
, DQP
b
通过控制体重
b
, DQP
c
通过控制体重
c
,
和DQP
d
通过控制体重
d
.
输入带针
模式输入。
选择设备的脉冲串顺序。接高电平选择交错突发秩序。
拉至低电平选择线性突发顺序。 MODE不应该运行过程中改变状态。
当悬空模式将默认为高电平,以交错的突发订单。
JTAG串行
串行数据输出到JTAG电路。
提供在TCK的下降沿数据。
产量
同步
JTAG串行
串行数据,在到JTAG电路。
采样于TCK的上升沿。
输入
同步
测试模式
该引脚控制测试访问端口状态机。
采样于TCK的上升沿。
SELECT
同步
JTAG时钟
时钟输入JTAG的电路。
电源
电源输入到该装置的核心。
第28 6
CEN
DQ
S
DQP
X
模式
TDO
TDI
TMS
TCK
V
DD
文件编号: 38-05555牧师* ˚F