初步
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
储存温度
..................................... −65°C
至+ 150°C
环境温度与
电源的应用
.................................................. −55°C
至+ 125°C
在V电源电压
DD
相对于GND
.........−0.5V
至+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[7]
.....................................−0.5V
到V
DDQ
+ 0.5V
直流输入电压
[7]
..................................−0.5V
到V
DDQ
+ 0.5V
CY7C1352B
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
静电放电电压.......................................... >2001V
（每MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流.............................................. ...... >200毫安
工作范围
范围
Com'l
环境
温度
[8]
0
°
C至+70
°
C
V
DD
/V
DDQ
3.3V ± 5%
电气特性
在整个工作范围
参数
V
DD
V
DDQ
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
X
I
OZ
I
CC
描述
电源电压
I / O电源电压
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[7]
测试条件
分钟。
3.135
3.135
马克斯。
3.465
3.465
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
µA
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安
[9]
V
DD
=最小值，我
OL
= 8.0毫安
[9]
2.4
2.0
−0.3
V
DD
+
0.3V
0.8
5
30
5
400
375
350
300
250
200
90
80
70
60
50
40
5
输入负载电流
模式的输入电流
GND
≤
V
I
≤
V
DDQ
−5
−30
−5
5.0 ns的周期，频率为166 MHz
6.6 ns的周期， 150 MHz的
7.0 ns的周期， 143兆赫
7.5 ns的周期， 133 MHz的
10 ns的周期， 100兆赫
12.5 ns的周期， 80兆赫
输出漏电流GND
≤
V
I
≤
V
DDQ ，
输出禁用
V
DD
工作电源
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
I
SB1
自动CE
掉电
目前-TTL输入
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
f = f
最大
= 1/t
CYC
5.0 ns的周期，频率为166 MHz
6.6 ns的周期， 150 MHz的
7.0 ns的周期， 143兆赫
7.5 ns的周期， 133 MHz的
10 ns的周期， 100兆赫
12.5 ns的周期， 80兆赫
I
SB2
自动CE电源 -
向下电流CMOS
输入
自动CE电源 -
向下电流CMOS
输入
最大。 V
DD
，释放器件，V
IN
所有速度等级
≤
0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3V,
f=0
最大。 V
DD
，设备选中，或
V
IN
≤
0.3V或V
IN
＆ GT ; V
DDQ
– 0.3V
f = f
最大
= 1/t
CYC
5.0 ns的周期，频率为166 MHz
6.6 ns的周期， 150 MHz的
7.0 ns的周期， 143兆赫
7.5 ns的周期， 133 MHz的
10 ns的周期， 100兆赫
12.5 ns的周期， 80兆赫
I
SB3
80
70
60
50
40
30
mA
mA
mA
mA
mA
mA
阴影区域包含预览。
注意事项：
7.最小电压等于-2.0V的脉冲持续时间小于20纳秒。
8. T
A
是的情况下的温度。
9.用于V负载
OH
和V
CL
测试显示在A / C测试负载和波形（b）部分。
6
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
