CY7C1325B
电气特性
在工作范围（续）
7C1325B
参数
I
OS
I
DD
I
SB1
描述
输出短路电流
V
DD
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
CE自动断电
目前， CMOS输入
CE自动断电
目前-TTL输入
[7]
测试条件
V
DD
=最大，V
OUT
= GND
V
DD
=最大，我
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
CYC
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
IH
或V
IN
≤
V
IL
, f = f
最大，
输入开关
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
DD
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
F = 0 ，输入静态
8.5 ns的周期， 117兆赫
10 ns的周期， 100兆赫
8.5 ns的周期， 117兆赫
10 ns的周期， 100兆赫
所有速度
分钟。
马克斯。
–300
350
325
125
110
10
单位
mA
mA
mA
mA
mA
mA
I
SB2
I
SB3
8.5 ns的周期， 117兆赫
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
DDQ
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V ， 10 - ns的周期， 100兆赫
f = f
最大
，输入切换
最大。 V
DD
，设备选中，
V
IN
≥
V
DD
- 0.3V或V
IN
≤
0.3V,
F = 0 ，输入静态
所有速度
95
85
30
mA
mA
mA
I
SB4
电容
[8]
参数
C
IN
C
I / O
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
DD
= 5.0V
马克斯。
4
4
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
R1
产量
Z
0
=50Ω
R
L
=50Ω
5 pF的
V
L
=1.5V
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
2.5V
产量
所有的输入脉冲
2.5V
10%
GND
上升时间： 1 V / ns的
90%
90%
10%
(a)
(b)
[9]
下降时间： 1 V / ns的
注意事项：
7.不超过一个输出应在同一时间被短路。短路的持续时间不得超过30秒钟。
8.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
9. R1 = 1667Ω和R2 = 1538Ω ，因为我
OH
/I
OL
= -4 / 8 mA时， R1 = 521Ω和R2 = 481Ω ，因为我
OH
/I
OL
= -2 / 2毫安。
8
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
