CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
交流测试负载和波形
5V
产量
30 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
相当于：
产量
R2
347Ω
R1 893Ω
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
JIGAND
范围
R2
347Ω
忙
OR
INT
R1 893Ω
5V
281Ω
30
pF
(b)
3.0V
GND
10%
C130-5
(a)
戴维南等效
250Ω
1.40V
所有的输入脉冲
90%
90%
10%
BUSY输出负载
（ CY7C130 / CY7C131 ONLY）
C130-6
≤
5纳秒
≤5ns
开关特性
在整个工作范围
[6,11]
7C131-15
[3,4]
7C141-15
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
读周期时间
地址到数据有效
[12]
7C130-25
[3]
7C131-25
7C140-25
7C141-25
分钟。
25
马克斯。
7C130-30
7C131-30
7C140-30
7C141-30
分钟。
30
马克斯。
单位
ns
30
0
30
20
3
15
5
15
0
25
30
25
25
2
0
25
15
0
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
15
0
ns
ns
描述
分钟。
15
马克斯。
15
0
15
10
3
10
3
10
0
[9]
25
0
25
15
3
15
5
15
0
25
25
20
20
2
0
15
15
0
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
[12]
OE低到DATA有效
OE低到低
[12]
Z
[9,13, 14]
OE高到高Z
[9,13, 14]
CE低到低Z
[9,13, 14]
CE高到高阻
[9,13, 14]
CE为低电平
上电
[9]
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
R / W脉宽
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
[14]
R / W高到低Z
[14]
0
15
15
12
12
2
0
12
10
0
10
0
写周期
[15]
15
注意事项：
11.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V指定的输出负载
I
OL
/I
OH ，
和30 pF负载电容。
12. AC测试条件使用V
OH
= 1.6V和V
OL
= 1.4V.
13.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
14. t
LZCE
, t
LZWE
, t
HZOE
, t
LZOE
, t
HZCE
和T
HZWE
用C进行测试
L
= 5pF的作为交流测试负载（b）部分。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
存储器15内写入时间由CS低和R / W低的重叠限定。这两个信号必须为低电平以启动写，要么信号可以终止
一个写操作变为高电平。的数据输入的设置和保持时间应参考信号的上升沿终止写
4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
