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CY7C130-55PC 参数 Datasheet PDF下载

CY7C130-55PC图片预览
型号: CY7C130-55PC
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内容描述: 1K ×8双端口静态RAM [1K x 8 Dual-Port Static Ram]
分类和应用:
文件页数/大小: 17 页 / 204 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C130/CY7C131
CY7C140/CY7C141
开关波形
(续)
读周期2号
[19, 21]
CE
OE
t
ACE
t
美国能源部
t
HZOE
t
HZCE
任何一个端口CE / OE访问
t
LZOE
t
LZCE
数据输出
t
PU
I
CC
I
SB
数据有效
t
PD
C130-8
读周期3号
[20]
读BUSY ,硕士: CY7C130和CY7C131
t
RC
地址
R
读/写
R
D
INR
地址匹配
t
PWE
t
HD
有效
地址
L
t
PS
L
t
BLA
DOUT
L
地址匹配
t
BHA
t
BDD
有效
t
WDD
t
DDD
C130-9
写周期1号( OE三态数据I / O的 - 任何一个端口)
任何一个端口
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
SA
读/写
t
AW
[15, 22]
t
PWE
t
HA
t
SD
数据
IN
数据有效
t
HD
OE
t
HZOE
高阻抗
D
OUT
C130-10
注意事项:
21.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
22.如果OE是低电平期间, R / W控制的写周期,写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或T
HZWE
+ t
SD
允许数据I / O管脚进入高阻抗和为数据
被放置在总线上用于所需吨
SD
.
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