CY7C1061AV33
AC开关特性
（在整个工作范围内）
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
t
BW
写周期时间
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到写入结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
WE低到高Z
字节使能，以结束写的
10
7
7
0
0
7
5.5
0
3
–
7
–
–
–
–
–
–
–
–
–
5
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
LOW / CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE
1
LOW / CE
2
高到低Z
CE
1
HIGH / CE
2
低到高Z
CE
1
LOW / CE
2
HIGH到POWER UP
CE
1
HIGH / CE
2
低到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
1
10
–
3
–
–
1
–
3
–
0
–
–
1
–
–
–
10
–
10
5
–
5
–
5
–
10
5
–
5
ms
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
–10
民
最大
单位
笔记
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时为1.5伏，输入脉冲的0电平的参考电平到3.0V ，并在指定的I的输出负载
OL
/I
OH
并指定传输线的负载。测试条件为显示的读周期使用输出负载（一）
除非
另有规定。
7.这部分有一个稳压器，降压，从3 V至2 V的电压在内部。吨
动力
时间必须首先启动一个读/写操作之前提供。
8. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZWE
, t
HZBE
和T
LZOE
, t
LZCE
, t
\\ LZWE
, t
LZBE
的采用5 pF的负载电容被指定为（b）中
转换测量
200
毫伏从稳态电压。
9，这些参数由设计保证，未经测试。
10.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
LOW （ CE
2
HIGH ）和WE低。芯片使必须是活动和WE和字节使能必须的
低到开始写，以及任何这些信号的转换可以终止写入。输入数据的建立和保持时间应被引用到领先
该终止写信号的边沿。
11.写周期2号的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05256牧师* K
第14页5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
