CY7C1061AV33
最大额定值
超出最大额定值可能会缩短的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度-65 ...............................
C
+150
C
环境温度与
电源采用.......................................... -55
C
+125
C
在V电源电压
CC
以相对GND
..- 0.5 V至4.6 V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
................................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
直流输入电压
............................. -0.5 V到V
CC
+ 0.5 V
目前进入输出（ LOW ） ......................................... 20毫安
工作范围
范围
广告
产业
环境
温度
0
C
+70
C
–40
C
+85
C
V
CC
3.3 V
0.3 V
DC电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB1
I
SB2
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入漏电流
输出漏电流
V
CC
工作电源电流
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前-CMOS输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
V
CC
=最大值，女= F
最大
= 1/t
RC
广告
产业
CE
2
＆ LT ; V
白细胞介素，
MAX V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
,
V
IN
＆ GT ; V
IH
或V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
CE
2
< 0.3 V ， MAX V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3 V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3 V,
或V
IN
< 0.3 V ， F = 0
商用/
产业
测试条件
I
OH
= -4.0毫安
I
OL
= 8.0毫安
–10
民
2.4
–
2.0
–0.3
–1
–1
–
–
–
–
最大
–
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
275
275
70
50
单位
V
V
V
V
A
A
mA
mA
mA
mA
电容
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25
C,
F = 1MHz时， V
CC
= 3.3 V
TSOP II
6
8
FBGA
8
10
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
50
产量
Z
0
= 50
V
TH
= 1.5 V
30 pF的*容性负载由所有的
在测试环境中的部件。
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间：
> 1 V / ns的
3.3 V
产量
5 pF的*
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
351
R1 317
(a)
3.3 V
GND
上升时间> 1 V / ns的
(c)
笔记
3. V
IL
（分钟）= -2.0 V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5.有效的SRAM操作不会发生，直到电源均达到最低工作V
DD
（ 3.0 V） 。只要1毫秒（T
动力
）到达后，
最小工作V
DD
正常SRAM操作开始，包括降低V
DD
向数据保留（Ⅴ
CCDR
， 2.0 V）的电压。
文件编号： 38-05256牧师* K
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
