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    CY7C1049CV33-10VC 参数 Datasheet PDF下载

    CY7C1049CV33-10VC图片预览
    型号： CY7C1049CV33-10VC
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 4兆位（ 512K ×8）静态RAM [4-Mbit (512K x 8) Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 11 页 / 207 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第10页浏览型号CY7C1049CV33-10VC的Datasheet PDF文件第11页  
    CY7C1049CV33
    开关波形
    （续）
    读周期2号（ OE控制）
    [13, 14]
    地址
    t
    RC
    CE
    t
    ACE
    OE
    t
    美国能源部
    数据输出
    V
    CC
    供应
    当前
    t
    LZOE
    高阻抗
    t
    LZCE
    t
    PU
    50%
    t
    HZOE
    t
    HZCE
    数据有效
    t
    PD
    50%
    I
    SB
    I
    CC
    高
    阻抗
    写周期号1 （我们控制， OE高在写）
    [15, 16]
    t
    WC
    地址
    t
    SCE
    CE
    t
    AW
    t
    SA
    WE
    t
    PWE
    t
    HA
    OE
    t
    SD
    数据I / O
    注17
    t
    HZOE
    注意事项：
    14.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
    15.数据的I / O为高阻抗，如果OE = V
    IH
    .
    16.如果CE变同时与WE变为高电平高电平时，输出保持在高阻抗状态。
    17.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
    t
    HD
    数据
    IN
    有效
    文件编号： 38-05006牧师* E
    第11 7

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