CY7C1049CV33
AC开关特性
在整个工作范围
[6]
-8
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高来高-Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高来高-Z
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
我们前高后低-Z
[9]
WE低到高-Z
[8, 9]
8
6
6
0
0
6
4
0
3
4
0
8
10
7
7
0
0
7
5
0
3
5
3
4
0
10
12
8
8
0
0
8
6
0
3
6
0
4
3
5
0
12
3
8
4
0
5
3
6
1
8
8
3
10
5
0
6
1
10
10
3
12
6
1
12
12
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-10
马克斯。
分钟。
-12
马克斯。
单位
写周期
[10, 11]
阴影区域包含预览。
AC开关特性
在整个工作范围
[6]
-15
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
1
15
15
3
15
7
1
20
20
3
20
8
µs
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
注意事项：
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是稳定的，典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容部分（D ） 。转变是从稳态电压测量± 500 mV的。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写时间由CE低的重叠所定义，和WE为低电平。 CE和我们必须为低电平启动写，和过渡要么
这些信号可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.写周期3号最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05006牧师* E
第11个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
