CY7C1049CV33
电气特性
在工作范围（续）
-15
参数
I
SB1
描述
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
测试条件
最大。 V
CC
， CE＆ GT ; V
IH
;
V
IN
＆ GT ; V
IH
or
V
IN
＆ LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
,
CE > V
CC
– 0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
– 0.3V,
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
Com'l / Ind'l
汽车
Com'l / Ind'l
汽车
分钟。
马克斯。
40
45
10
15
分钟。
-20
马克斯。
40
-
10
-
单位
mA
mA
mA
mA
I
SB2
热阻
[4]
参数
描述
热阻
（结到环境）
热阻
（结点到外壳）
测试条件
测试条件遵循
标准测试方法
和程序
测量热
阻抗，按照EIA /
JESD51.
36引脚SOJ 36引脚SOJ 44 - TSOP- II 44 - TSOP- II
（非无铅） （无铅） （非无铅） （无铅）单位
46.51
18.8
46.51
18.8
41.66
10.56
41.66
10.56
° C / W
° C / W
Θ
JA
Θ
JC
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= 3.3V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
[5]
8- ，10- ns的装置：
产量
50Ω
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
12-， 15-， 20 - ns的设备：
Z = 50Ω
3.3V
R 317Ω
30 pF的*
产量
30 pF的
R2
351Ω
(a)
高阻抗特性：
3.0V
90%
GND
10%
所有的输入脉冲
90%
10%
3.3V
产量
5 pF的
(b)
R 317Ω
R2
351Ω
上升时间： 1 V / ns的
(c)
下降时间： 1 V / ns的
(d)
注意事项：
4.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
5. AC特性（除了高Z ）的所有8纳秒和10毫微秒的部分使用图（一）所示的负载条件下测试。所有其他的速度正在使用的测试
在图中所示的戴维南负载（ b）所示。高Z特性进行测试，以便使用图（ d）所示的试验负荷所有速度。
文件编号： 38-05006牧师* E
第11 4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
