CY7C1041D
热阻
[4]
参数
Θ
JA
Θ
JC
描述
热阻
（结到环境）
[4]
热阻
（结点到外壳）
[4]
测试条件
静止的空气中，焊接在一个3 × 4.5英寸，
四层印刷电路板
SOJ封装TSOP II封装
57.91
36.73
50.66
17.17
单位
° C / W
° C / W
交流测试负载和波形
[5]
10 ns的设备
Z = 50Ω
3.0V
50
Ω
产量
所有的输入脉冲
90%
10%
(b)
90%
10%
≤
3纳秒
30 pF的*
GND
≤
3纳秒
*容性负载由
的的所有组件
测试环境
1.5V
(a)
高阻抗特性：
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
R2
255Ω
(c)
R1 481
Ω
相当于：
戴维南等效
167Ω
1.73V
产量
开关特性
[6]
在整个工作范围
-10 （工业）
参数
读周期
t
动力
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
DBE
t
LZBE
t
HZBE
V
CC
（典型值）的第一接入
[7]
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能到数据有效
字节使能以低Z
字节禁止以高Z
0
5
0
10
5
0
6
3
5
0
12
6
0
5
3
6
3
10
5
0
6
100
10
10
3
12
6
100
12
12
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
-12 （汽车）
分钟。
马克斯。
单位
注意事项：
5. AC特性（除了高Z ）是使用在图（一）所示的负载条件下测试。高阻抗特性进行了测试使用的测试负载的所有速度
在图（c）所示
6.测试条件假设为3毫微秒或更少的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
和30 pF负载电容。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取可以被执行。
8. t
HZOE
, t
HZCE
, t
HZBE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容的（c）部分。当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
, t
HZBE
小于吨
LZBE ，
和T
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
文件编号： 38-05472牧师* C
第3 9
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
