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CY7C1041D-10ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1041D-10ZSXI图片预览
型号: CY7C1041D-10ZSXI
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内容描述: 4兆位( 256K ×16 )静态RAM [4-Mbit (256K x 16) Static RAM]
分类和应用: 内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 9 页 / 336 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1041D
选购指南
-10 (工业)
最大访问时间
最大工作电流
最大的CMOS待机电流
10
90
10
-12 (汽车)
[2]
12
95
15
单位
ns
mA
mA
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
.... -0.5V至+ 6.0V
直流电压应用到输出的
在高Z状态
[3]
.....................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
直流输入电压
[3]
..................................- 0.5V至V
CC
+0.5V
目前进入输出( LOW ) ......................................... 20毫安
静电放电电压............. ............................... >2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ........ >200毫安
工作范围
范围
产业
汽车
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
5V
±
0.5
5V
±
0.5
速度
10纳秒
12纳秒
电气特性
在整个工作范围
-10 (工业)
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流接地< V
I
& LT ; V
CC
输出漏
当前
GND < V
OUT
& LT ; V
CC
,输出
100兆赫
83兆赫
66兆赫
40 MHZ
I
SB1
自动CE
掉电电流
-TTL输入
自动CE
掉电电流
-CMOS输入
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
V
IN
& GT ; V
IH
or
V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V ,
f=0
2.0
–0.5
–1
–1
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
90
80
70
60
20
2.0
–0.5
–1
–1
马克斯。
-12 (汽车)
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
-
95
85
75
25
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
V
CC
工作电压V
CC
=最大,
当前
f = f
最大
= 1/t
RC
I
SB2
10
15
mA
电容
[4]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
I / O容量
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
8
8
单位
pF
pF
注意事项:
2.汽车的产品信息是初步。
3. V
IL
(分) = -2.0V和V
IH
(MAX) = V
CC
+ 2V为小于20纳秒的脉冲持续时间。
4.测试开始后任何设计或工艺变化,可能会影响这些参数。
文件编号: 38-05472牧师* C
第2 9