CY7C1019DV33
开关特性
在整个工作范围
[6]
参数
读周期
t
power[7]
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU[10]
t
PD[10]
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
V
CC
（典型值）的第一接入
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE低到低Z
[9]
CE高到高阻
[8, 9]
CE为低电时
CE高到掉电
0
10
3
5
0
5
3
10
5
100
10
10
µs
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
-10 （工业）
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[11, 12]
写周期时间
CE低到写结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
10
8
8
0
0
7
5
0
3
5
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
笔记
6.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V 。
7. t
动力
给时间的电源应该是在典型的V ，该最小量
CC
值，直到所述第一存储器存取能够进行
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
指定采用5 pF的交流测试负载的负载电容的（c）部分。当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10，此参数由设计保证，未经测试。
11.存储器的内部写入时间由CE低电平和WE低的重叠限定。 CE和我们必须低到开始写，和任何这些过渡
信号可以终止写入。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
12.写周期第3的最低写入周期时间（我们控制， OE低）为t的总和
HZWE
和T
SD
.
文件编号： 38-05481牧师* D
第11个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
