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CY7C1019DV33-10ZSXI 参数 Datasheet PDF下载

CY7C1019DV33-10ZSXI图片预览
型号: CY7C1019DV33-10ZSXI
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内容描述: 1兆位( 128K ×8)静态RAM [1-Mbit (128K x 8) Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 387 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY7C1019DV33
最大额定值
(以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线,没有测试。 )
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................. -55 ° C至+ 125°C
在V电源电压
CC
以相对GND
[3]
...... -0.3V到+ 4.6V
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
[3]
....................................- 0.3V至V
CC
+ 0.3V
直流输入电压
[3]
................................ -0.3V到V
CC
+ 0.3V
目前进入输出( LOW ) ......................................... 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
(每MIL -STD -883方法3015 )
闩锁电流.............................................. ....... > 200毫安
工作范围
范围
产业
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
V
CC
3.3V
±
0.3V
速度
10纳秒
电气特性
在整个工作范围
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
[3]
输入漏电流
输出漏电流
GND < V
I
& LT ; V
CC
GND < V
I
& LT ; V
CC
,输出禁用
100MHz
83MHz
66MHz
40MHz
I
SB1
I
SB2
CE自动断电
目前-TTL输入
CE自动断电
目前, CMOS输入
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
IH
V
IN
& GT ; V
IH
或V
IN
& LT ; V
IL
, f = f
最大
最大。 V
CC
, CE& GT ; V
CC
– 0.3V,
V
IN
& GT ; V
CC
- 0.3V或V
IN
& LT ; 0.3V , F = 0
测试条件
V
CC
=最小值,我
OH
= -4.0毫安
V
CC
=最小值,我
OL
= 8.0毫安
2.0
–0.3
–1
–1
-10 (工业)
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.3
0.8
+1
+1
60
55
45
30
10
3
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
CC
工作电源电流V
CC
=最大,
I
OUT
= 0 mA时,
f = f
最大
= 1/t
RC
3. V
IL
(分) = -2.0V和V
IH
(MAX) = V
CC
+ 1V为小于5纳秒的脉冲持续时间。
文件编号: 38-05481牧师* D
第11 3