CY7C056V
CY7C057V
开关特性
在整个工作范围
[13]
CY7C056V
CY7C057V
-12
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE的[ 3,14 ]
t
美国能源部
t
LZOE [3 ，15，16 ， 17]
t
LZCE [3 ， 13 ，16，17 ]
t
LZBE
t
HZBE
t
聚氨酯[ 3,17 ]
t
PD [ 3,17 ]
t
ABE[14]
写周期
t
WC
t
SCE [ 3,14 ]
t
AW
t
HA
t
SA[14]
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE [16 ， 17]
t
LZWE [16 ， 17]
t
WDD[18]
t
DDD[18]
写周期时间
CE低到写结束
地址有效到写结束
从写端地址保持
地址建立到开始写
把脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
R / W低到高Z
R / W高到低Z
写脉冲数据延迟
写数据有效读取数据有效
3
25
20
12
10
10
0
0
10
10
0
10
3
30
25
15
12
12
0
0
12
10
0
10
3
45
30
20
15
15
0
0
15
15
0
12
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变更输出保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
0
10
3
10
3
10
0
12
12
0
15
15
3
10
0
20
20
3
10
3
12
3
12
8
0
10
3
12
12
12
3
15
10
0
12
15
15
3
20
12
20
20
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
分钟。
-15
马克斯。
分钟。
-20
马克斯。
单位
t
HZOE [3 ，15，16 ， 17]
OE高到高Z
CE低到低Z
t
HZCE [3 ，15，16 ， 17]
CE高到高阻
字节使能以低Z
字节使能为高Z
CE为低电时
CE高到掉电
字节使能存取时间
注意事项：
13.测试条件假设为3纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平为3.0V ，并在指定的输出负载
I
OI
/I
OH
和10 pF的负载电容。
14.要存取RAM ， CE = L和扫描电镜= H要访问的信号量， CE = H和扫描电镜= L要么条件必须是适用于整个吨
SCE
时间。
15.在任何给定的温度和电压条件下对于任何给定的设备，叔
HZCE
小于吨
LZCE
和T
HZOE
小于吨
LZOE
.
16.使用测试条件负载2 。
17.此参数由设计保证，但未经生产测试。从写端口，读端口到端口延迟通过RAM单元的信息
口，指读时序与波形忙。
18.有关端口到端口延迟通过RAM单元的信息写入端口读取端口，请参阅读时序与波形忙。
文件编号： 38-06055牧师**
第8页23
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