CY7C056V
CY7C057V
开关波形
（续）
写周期第1名： R / W控制时序
[27, 28, 29, 30]
t
WC
地址
t
HZOE
[33]
OE
t
AW
CE
0
，CE
1
[31, 32]
片选有效
t
SA
t
PWE
[30]
t
HA
读/写
t
HZWE
[33]
数据输出
注34
t
LZWE
注34
t
SD
DATA IN
t
HD
写周期2： CE控制时序
[27, 28, 29, 35]
t
WC
地址
t
AW
CE
0
，CE
1
[31, 32]
片选有效
t
SA
t
SCE
t
HA
读/写
t
SD
DATA IN
t
HD
注意事项：
27. R / W必须在所有的地址转换为高。
在重叠（T时28写
SCE
或T
PWE
） CE认证
0
=V
IL
和CE
1
=V
IH
或SEM = V
IL
和B
0–3
低。
29. t
HA
从CE的早期测定
0
/ CE
1
或R / W或（ SEM或R / W）变为高电平，在写周期的结束。
30.如果OE是低电平期间， R / W控制的写周期，写脉冲宽度必须满足t较大
PWE
或（T
HZWE
+ t
SD
），以允许在I / O驱动器关闭和数据被放置在
该总线所需要的吨
SD
。如果OE为高电平期间，一个R / W控制的写周期，这要求不适和写脉冲可短至指定吨
PWE
.
31.要访问的RAM ， CE
0
= V
IL
，CE
1
扫描电镜= = V
IH
.
32.要访问字节B
0
，CE
0
= V
IL
, B
0
= V
IL
，CE
1
扫描电镜= = V
IH
.
要访问字节B
1
，CE
0
= V
IL
, B
1
= V
IL
，CE
1
扫描电镜= = V
IH
.
要访问字节B
2
，CE
0
= V
IL
, B
2
= V
IL
，CE
1
扫描电镜= = V
IH
.
要访问字节B
3
，CE
0
= V
IL
, B
3
= V
IL
，CE
1
扫描电镜= = V
IH
.
33.过渡测量± 150 mV的从稳态与5 - pF负载（包括范围和夹具） 。这个参数进行采样，而不是100 ％测试。
34.在此期间， I / O引脚的输出状态，输入信号不能被应用。
35.如果CE
0
LOW和CE
1
同时发生或R / W低的跳变高后或SEM低跳变时，输出保持在高阻抗状态。
文件编号： 38-06055牧师**
第12页23
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