CY7C056V
CY7C057V
电气特性
在整个工作范围
[7, 8]
CY7C056V
CY7C057V
-12
马克斯。
分钟。
分钟。
典型值。
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
OZ
I
CC
I
SB1
描述
输出高电压
(V
DD
=最小值，我
OH
= -4.0毫安）
输出低电压
(V
DD
=最小值，我
OL
= 4.0毫安）
输入高电压
输入低电压
输出漏电流
工作电流（V
DD
=最大，
I
OUT
= 0 mA）的输出禁用
待机电流（两个端口TTL
水平和未选中）
f = f
最大
待机电流（一个端口TTL
水平和未选中）
f = f
最大
待机电流（两个端口CMOS
水平和未选中） F = 0
待机电流（一个端口CMOS
水平，取消选中）F = F
MAX[9]
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160 210
0.01
1
180 240
55
75
–10
2.0
0.8
10
250 385
–10
240
265
50
65
175
190
0.01
0.01
155
170
-15
马克斯。
分钟。
典型值。
-20
马克斯。
0.4
2.0
0.8
10
360
385
70
95
230
255
1
1
200
215
0.01
1
45
65
–10
0.8
10
单位
pF
pF
典型值。
单位
V
V
V
V
µA
mA
mA
mA
165 210毫安
mA
mA
mA
145 180毫安
mA
2.4
0.4
2.4
0.4
2.0
2.4
230 340毫安
I
SB2
I
SB3
I
SB4
电容
[10]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25
°
C，F = 1MHz时，
V
DD
= 3.3V
马克斯。
10
10
注意事项：
7.跨级别为V
DD
- 0.2V< V
Z
<0.2V.
8.取消选择一个端口时，如果CE
0
为高或CE
1
是低的。
9. f
最大
= 1/t
RC
=所有输入循环在f = 1 / T
RC
（除了输出使能） 。 F = 0表示无地址或控制线变化。这仅适用于在输入CMOS电平
待我
SB3
.
10.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-06055牧师**
第23页6
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
