的MoBL
®
CY62128E
最大额定值
超出最大额定值可能损害的使用寿命
装置。这些用户指导未经测试。
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
环境温度与
电源应用............................................ -55°C至+ 125°C
电源电压对地
潜在............................... -0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
直流电压应用到输出的
在高阻抗状态
.............. -0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
直流输入电压
........... -0.5V至6.0V （V
CC（ MAX）的
+ 0.5V)
输出电流为输出（ LOW ） ............................. 20毫安
静电放电电压........................................... > 2001V
（ MIL -STD -883方法3015 ）
闩锁电流............................................... ...... > 200毫安
工作范围
设备
CY62128ELL
范围
Ind'l /自动-A
自动-E
环境
温度
-40 ° C至+ 85°C
-40 ° C至+ 125°C
V
CC
4.5V至5.5V
电气特性
（在整个工作范围内）
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
I
SB2 [8]
描述
输出高
电压
输出低
电压
测试条件
I
OH
= -1毫安
I
OL
= 2.1毫安
2.2
–0.5
–1
–1
11
1.3
1
45纳秒（ Ind'l /自动-A ）
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+1
+1
16
2
4
2.2
–0.5
–4
–4
11
1.3
1
典型值
55纳秒（自动-E ）
民
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5
0.8
+4
+4
35
4
30
典型值
最大
最大
单位
V
V
V
V
μA
μA
mA
输入高电压V
CC
= 4.5V至5.5V
输入低电压V
CC
= 4.5V至5.5V
输入漏
当前
输出漏
当前
V
CC
操作
电源电流
自动CE
掉电
目前， CMOS
输入
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
f = f
最大
= 1/t
RC
V
CC
= V
CC（ MAX）的
I
OUT
= 0毫安
F = 1 MHz的
CMOS电平
CE
1
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或CE
2
＆ LT ; 0.2V ，
V
IN
＆ GT ; V
CC
- 0.2V或V
IN
＆ LT ; 0.2V ，
F = 0，V
CC
= V
CC（ MAX）的
μA
电容
（对于所有的软件包）
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
最大
10
10
单位
pF
pF
笔记
5. V
IL （ MIN ）
= -2.0V为脉冲持续时间小于20纳秒。
6. V
IH（ MAX）的
= V
CC
+ 0.75V为脉冲持续时间小于20纳秒。
7.全部设备交流操作假定100
μs
从0减速时间到V
CC
（分钟）和200
μs
等待时间V后
CC
稳定。
8.只有芯片使能（ CE
1
和CE
2
）必须在CMOS电平，以满足我
SB2
/ I
CCDR
规格。其他输入可以悬空。
9.初步测试后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
文件编号： 38-05485牧师* ˚F
第12页3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
