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CY62148ELL-55SXI 参数 Datasheet PDF下载

CY62148ELL-55SXI图片预览
型号: CY62148ELL-55SXI
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内容描述: 4兆位( 512K的× 8 )静态RAM [4-Mbit (512 K × 8) Static RAM]
分类和应用: 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
文件页数/大小: 14 页 / 407 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62148E的MoBL
®
开关波形
图4.读周期第1号
(地址转换控制)
t
RC
RC
地址
t
AA
t
OHA
数据输出
以前的数据有效
数据有效
图5.读周期2号
( OE控制)
地址
t
RC
CE
t
ACE
OE
t
美国能源部
t
LZOE
高阻抗
数据输出
t
LZCE
V
CC
供应
当前
t
PU
50%
t
HZOE
t
HZCE
数据有效
t
PD
50%
I
SB
I
CC
阻抗
图6.写周期第1号
(我们控制, OE高在写)
t
WC
地址
t
SCE
CE
t
AW
t
SA
WE
t
PWE
t
HA
OE
t
SD
数据I / O
注24
t
HZOE
数据有效
t
HD
笔记
19.设备不断选择。 OE ,CE = V
IL
.
20.我们是高的读周期。
21.地址有效之前或类似CE变为低电平。
22.数据I / O是,如果OE = V高阻
IH
.
23.若CE变同时WE高高电平时,输出保持在高阻抗状态。
24.在此期间, I / O是在输出状态和输入信号必须不被应用。
文件编号: 38-05442牧师* H
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