CY62148E的MoBL
®
图3.数据保存波形
数据保持方式
V
CC
V
CC（分钟）
t
CDR
V
DR
> 2.0 V
V
CC（分钟）
t
R
CE
开关特性
在整个工作范围
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
写周期
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
HZWE
t
LZWE
写周期时间
CE低到写结束
地址设置写到底
从写端地址保持
地址设置为Write开始
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE低到高Z
WE高到低Z
45
35
35
0
0
35
25
0
–
10
–
–
–
–
–
–
–
–
18
–
55
40
40
0
0
40
25
0
–
10
–
–
–
–
–
–
–
–
20
–
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE低到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
CE低到低Z
CE高到高阻
CE为低电时
CE高到掉电
45
–
10
–
–
5
–
10
–
0
–
45
–
45
–
45
22
–
18
–
18
55
–
10
–
–
5
–
10
–
0
–
–
55
–
55
25
–
20
–
20
–
55
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
45纳秒
描述
民
最大
民
55纳秒
单位
最大
笔记
14.测试条件比三态参数之外的所有参数假设为3纳秒或更少的信号转换时间，时间为1.5 V，输入脉冲电平的参考电平
0至3伏，和指定I的输出装
OL
/I
OH
如图中
15. SOIC封装仅在55纳秒的速度斌。
16.在任何温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何设备。
17. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
当输出进入高阻抗状态转变进行测定。
18.存储器的内部wre.ite时间是由我们的V中的重叠时， CE =定义
IL
。所有的信号必须是活动的发起写任何这些信号都可以
中止执行的写操作变为无效。的数据输入的设置和保持时间应参考该终止写信号的边缘。
文件编号： 38-05442牧师* H
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CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
