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    CY62136VLL-70ZI 参数 Datasheet PDF下载

    CY62136VLL-70ZI图片预览
    型号： CY62136VLL-70ZI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×16静态RAM [128K x 16 Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 221 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第4页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第9页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第10页  
    CY62136V的MoBL ™
    开关波形
    （续）
    读周期2号
    [11, 12]
    CE
    t
    ACE
    OE
    t
    美国能源部
    BHE / BLE
    t
    LZOE
    t
    HZBE
    t
    DBE
    t
    LZBE
    数据输出
    高阻抗
    t
    LZCE
    V
    CC
    供应
    当前
    t
    PU
    50%
    50%
    I
    SB
    I
    CC
    数据有效
    高
    阻抗
    t
    HZOE
    t
    RC
    t
    PD
    t
    HZCE
    [8,
    13, 14]
    写周期号1 （我们控制）
    t
    WC
    地址
    CE
    t
    AW
    WE
    t
    SA
    t
    PWE
    t
    HA
    BHE / BLE
    t
    BW
    OE
    t
    SD
    数据I / O
    记
    15
    t
    HZOE
    注意事项：
    12.地址之前或暗合了CE变为低电平有效。
    13.数据I / O是，如果OE = V高阻
    IH
    .
    14.如果CE变同时与WE高高时，输出保持在高阻抗状态。
    15.在此期间， I / O是在输出状态和输入信号不应该被应用。
    t
    HD
    数据有效
    IN
    文件编号： 38-05087牧师**
    第12页6

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