CY62136V的MoBL ™
电气特性
在整个工作范围
CY62136V
参数
V
OH
V
OL
V
IH
V
IL
I
IX
I
OZ
I
CC
描述
输出高电压
输出低电压
输入高电压
输入低电压
输入负载电流
输出漏电流
V
CC
工作电源
当前
GND < V
I
＆ LT ; V
CC
GND < V
O
＆ LT ; V
CC
，输出禁用
I
OUT
= 0 mA时，
f = f
最大
= 1/t
RC
,
CMOS电平
I
OUT
= 0 mA时，
F = 1MHz时，
CMOS电平
I
SB1
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
自动CE
掉电电流 -
CMOS输入
CE > V
CC
−0.3V,
V
IN
＆ GT ; V
CC
−0.3V
or
V
IN
＆ LT ; 0.3V ，女= F
最大
CE > V
CC
−0.3V
V
IN
＆ GT ; V
CC
−0.3V
或V
IN
＆ LT ; 0.3V ， F = 0
V
CC
=
3.6V
LL
1
V
CC
= 3.6V
测试条件
I
OH
=
−1.0
mA
I
OL
= 2.1毫安
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 2.7V
V
CC
= 3.6V
V
CC
= 2.7V
2.2
−0.5
−1
−1
+1
+1
7
分钟。
2.4
0.4
V
CC
+ 0.5V
0.8
+1
+1
15
典型值。
[2]
马克斯。
单位
V
V
V
V
µA
µA
mA
1
2
mA
100
µA
I
SB2
15
µA
电容
[3]
参数
C
IN
C
OUT
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C，F = 1MHz时，
V
CC
= V
CC （典型值）
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
热阻
描述
热阻
（结到环境）
[3]
热阻
（结点到外壳）
[3]
注意：
3.测试开始后任何设计或工艺变化，可能会影响这些参数。
测试条件
静止的空气中，焊接在4.25 X 1.125英寸， 4层
印刷电路板
符号
Θ
JA
Θ
JC
BGA
55
16
TSOPII
60
22
单位
° C / W
° C / W
文件编号： 38-05087牧师**
第12页3
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
