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    CY62136VLL-70ZI 参数 Datasheet PDF下载

    CY62136VLL-70ZI图片预览
    型号： CY62136VLL-70ZI
    PDF下载： 下载PDF文件 查看货源
    内容描述： 128K ×16静态RAM [128K x 16 Static RAM]
    分类和应用： 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
    文件页数/大小： 12 页 / 221 K
    品牌： CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
     浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第1页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第2页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第3页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第5页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第6页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第7页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第8页浏览型号CY62136VLL-70ZI的Datasheet PDF文件第9页  
    CY62136V的MoBL ™
    交流测试负载和波形
    R1
    V
    CC
    产量
    30 pF的
    INCLUDING
    夹具
    范围
    R2
    V
    CC
    产量
    GND
    5 pF的
    INCLUDING
    夹具
    范围
    R2
    上升时间：
    1 V / ns的
    R1
    V
    CC
    典型值
    10%
    所有的输入脉冲
    90%
    90%
    10%
    下降时间：
    1 V / ns的
    (a)
    (b)
    (c)
    相当于：
    戴维南等效
    RTH
    产量
    V
    参数
    R1
    R2
    R
    TH
    V
    TH
    3.0V
    1105
    1550
    645
    1.75V
    单位
    欧
    欧
    欧
    伏
    数据保持特性
    （在整个工作范围内）
    参数
    V
    DR
    I
    CCDR
    描述
    V
    CC
    数据保留
    数据保持电流
    V
    CC
    = 1.0V
    CE > V
    CC
    −
    0.3V,
    V
    IN
    ＆ GT ; V
    CC
    −
    0.3V或
    V
    IN
    ＆ LT ; 0.3V
    没有输入可能超过
    V
    CC
    +0.3V
    LL
    条件
    [5]
    分钟。
    1.0
    0.5
    典型值。
    [2]
    马克斯。
    3.6
    7.5
    单位
    V
    µA
    t
    CDR[3]
    t
    R[4]
    芯片取消到数据
    保留时间
    手术恢复时间
    0
    70
    ns
    ns
    数据保存波形
    数据保持方式
    V
    CC
    V
    CC（分钟）
    t
    CDR
    V
    DR
    > 1.0 V
    V
    CC（分钟）
    t
    R
    CE
    注意事项：
    4.全面的设备运行需要的线性V
    CC
    从V坡道
    DR
    到V
    CC（分钟）
    ＆ GT ;
    100 ms或稳定在V
    CC（分钟）
    ＆ GT ;
    100毫秒。
    5.测试条件假设为5纳秒或更少的信号转换时间，定时1.5V的参考电平， 0输入脉冲电平到V
    CC
    指定的典型值，和输出负载
    I
    OL
    /I
    OH
    和30 pF负载电容。
    文件编号： 38-05087牧师**
    第12页4

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