CY62128B
的MoBL
开关特性
[7]
在整个工作范围
62128B-55
参数
读周期
t
RC
t
AA
t
OHA
t
ACE
t
美国能源部
t
LZOE
t
HZOE
t
LZCE
t
HZCE
t
PU
t
PD
t
WC
t
SCE
t
AW
t
HA
t
SA
t
PWE
t
SD
t
HD
t
LZWE
t
HZWE
读周期时间
地址到数据有效
从地址变化数据保持
CE
1
低到数据有效，CE
2
高到数据有效
OE低到DATA有效
OE低到低Z
OE高到高Z
[8, 9]
CE
1
低到低Z ，CE
2
高到低Z
[9]
CE
1
高来高Z， CE
2
低到高Z
[8, 9]
CE
1
低到电， CE
2
HIGH到Power -UP
CE
1
高到掉电， CE
2
低到掉电
写周期时间
CE
1
低到写入结束，CE
2
HIGH到写入结束
地址建立撰写完
从写端地址保持
地址建立到开始写
WE脉冲宽度
数据建立到写结束
从写端数据保持
WE高到低Z
[9]
WE低到高Z
[8, 9]
55
45
45
0
0
45
25
0
5
20
0
55
70
60
60
0
0
50
30
0
5
25
5
20
0
70
0
20
5
25
5
55
20
0
25
55
55
5
70
35
70
70
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
描述
分钟。
马克斯。
62128B-70
分钟。
马克斯。
单位
写周期
[10]
开关波形
读周期1号
[12, 13]
t
RC
地址
t
OHA
数据输出
t
AA
数据有效
以前的数据有效
注意事项：
7.测试条件假设为5纳秒或更小的信号的过渡时间，定时1.5V的参考电平，为0的输入脉冲电平到3.0V ，并在指定的输出负载
I
OL
/I
OH
100 - pF负载电容。
8. t
HZOE
, t
HZCE
和叔
HZWE
采用5 pF的负载电容被指定为在交流测试负载（ b）所示。过渡测
±500
毫伏从稳态电压。
9.在任何给定的温度和电压条件下，叔
HZCE
小于吨
LZCE
, t
HZOE
小于吨
LZOE
和叔
HZWE
小于吨
LZWE
对于任何给定的设备。
10.存储器的内部写入时间由CE的重叠限定
1
低，CE
2
高，和WE为低电平。 CE
1
我们必须较低， CE
2
HIGH开始写，并
任何这些信号的过渡可以终止写操作。输入数据建立和保持时间应参考该终止写信号的上升沿。
11.无输入可能超过V
CC
+ 0.5V.
12.设备被连续地选择。 OE ，CE
1
= V
IL
，CE
2
= V
IH
.
13.我们是高的读周期。
文件编号： 38-05300牧师* C
第11个5
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
