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CY62128BLL-70SI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CY62128BLL-70SI
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内容描述: 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 341 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62128B
的MoBL
128K ×8静态RAM
特点
•温度范围
- 商业: 0 ° C至70℃
- 工业级: -40 ° C至85°C
- 汽车: -40°C至125°C
• 4.5V - 5.5V操作
• CMOS的最佳速度/功耗
•低有功功率
( 70纳秒, LL版,商业,工业)
- 82.5毫瓦(最大) (15 mA)的
•低待机功耗
( 70纳秒, LL版,商业,工业)
— 110
µW
(最大值) (15
µA)
•自动断电时取消
• TTL兼容的输入和输出
•易于扩展内存与CE
1
,CE
2
和OE选项
功能说明
[1]
该CY62128B是一个高性能的CMOS静态RAM
由8位, 131,072字。容易记忆
扩展是由一个低电平有效芯片使能( CE提供
1
),
高电平有效芯片使能( CE
2
) ,一个低电平有效输出
使能(OE )和三态驱动器。此装置具有一
自动断电功能,可降低功耗
取消选择时,由多于75%的消耗。
写设备通过采取芯片使能实现
一( CE
1
)和写使能( WE)输入低和芯片
启用两个( CE
2
)输入高。在8个I / O引脚的数据(I / O
0
通过I / O
7
)然后被写入到所指定的位置的
地址引脚(A
0
至A
16
).
从设备读通过取芯片完成
启用一个( CE
1
)和输出使能( OE )低,而强迫
写使能( WE)和芯片使能两( CE
2
)高。下
这些条件下,存储单元的内容
由地址引脚指定将显示在I / O引脚。
八个输入/输出引脚( I / O
0
通过I / O
7
)被放置在一个
高阻抗设备时,取消选择状态( CE
1
高或CE
2
LOW )时,输出被禁用( OE高) ,或
在写操作期间(CE
1
低,CE
2
高,和WE为低电平) 。
该CY62128B可在一个标准的450密耳SOIC宽,
32引脚的TSOP型I和STSOP包。
逻辑框图
输入缓冲器
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
行解码器
I / O 0
I / O 1
检测放大器
I / O 2
I / O 3
I / O 4
I / O 5
动力
512x 256x 8
ARRAY
CE1
CE2
WE
OE
COLUMN
解码器
I / O 6
I / O 7
注意:
1.为了达到最佳实践建议,请参考上http://www.cypress.com赛普拉斯应用笔记“系统设计指南” 。
A9
A 10
A 11
A 12
A 13
A 14
A 15
A 16
赛普拉斯半导体公司
文件编号: 38-05300牧师* C
3901北一街
圣荷西
,
CA 95134
408-943-2600
修订后的2005年2月14日