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CY62128BLL-70SI 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CY62128BLL-70SI
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内容描述: 128K ×8静态RAM [128K x 8 Static RAM]
分类和应用:
文件页数/大小: 11 页 / 341 K
品牌: CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
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CY62128B
的MoBL
电容
[6]
参数
C
IN
C
OUT
\
描述
输入电容
输出电容
测试条件
T
A
= 25 ° C,F = 1MHz时,
V
CC
= 5.0V
马克斯。
9
9
单位
pF
pF
交流测试负载和波形
5V
产量
100 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(a)
相当于:
R2
990
R1 1800Ω
5V
产量
5 pF的
INCLUDING
夹具
范围
(b)
R2
990
GND
上升时间:
1 V / ns的
R1 1800Ω
V
CC
所有的输入脉冲
90%
10%
90%
10%
下降时间:
1 V / ns的
戴维南等效
639
1.77V
产量
数据保持特性
(只有在工作范围内的“LL ”版)
参数
V
DR
I
CCDR
t
CDR
t
R
描述
V
CC
数据保留
数据保持电流
芯片取消到数据保留
时间
手术恢复时间
V
CC
= V
DR
= 2.0V ,CE
1
V
CC
– 0.3V,
或CE
2
0.3V, V
IN
V
CC
- 或0.3V ,V
IN
0.3V
0
70
条件
分钟。
2.0
1.5
15
典型值。
马克斯。
单位
V
µA
ns
ns
数据保存波形
V
CC
CE
1
V
CC
,分钟。
t
CDR
数据保持方式
V
DR
& GT ; 2 V
V
CC
,分钟。
t
R
or
CE2
文件编号: 38-05300牧师* C
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