CY2305
CY2309
绝对最大条件
电源电压对地电位................- 0.5V至+ 7.0V
直流输入电压（ REF除外） ............ -0.5V到V
DD
+ 0.5V
直流输入电压REF .........................................- 0.5V至7V
存储温度................................. -65 ° C至+ 150°C
结温................................................ 。 150℃
静电放电电压
（每MIL -STD -883方法3015 ） ........................... > 2,000V
工作条件CY2305SC -XX和CY2309SC -XX商业温度装置
参数
V
DD
T
A
C
L
C
L
C
IN
t
PU
电源电压
工作温度（环境温度）
负载电容，低于100 MHz的
负载电容，从100 MHz到133 MHz的
输入电容
上电时所有V
DD
s到达到指定的最低电压
（功率坡道必须是单调）
描述
民
3.0
0
–
–
–
0.05
最大
3.6
70
30
10
7
50
单位
V
°C
pF
pF
pF
ms
电气特性CY2305SC -XX和CY2309SC -XX商用温度
器件
参数
V
IL
V
IH
I
IL
I
IH
V
OL
V
OH
描述
输入低电压
输入高电压
输入低电平电流
输入高电流
输出低电压
输出高电压
V
IN
= 0V
V
IN
= V
DD
I
OL
= 8 MA（ -1 ）
I
OH =
12毫安（ -1H ）
I
OH
= -8毫安（ -1 ）
I
OL
= -12毫安（ -1H ）
REF = 0兆赫
在66.67 MHz的空载输出，
SEL输入在V
DD
测试条件
民
–
2.0
–
–
–
2.4
–
–
最大
0.8
–
50.0
100.0
0.4
–
25.0
32.0
单位
V
V
μA
μA
V
V
μA
mA
I
DD
（ PD模式）掉电电源电流
I
DD
电源电流
开关特性CY2305SC -1和CY2309SC - 1商用温度
器件
参数
t1
t
DC
t3
t
4
t
5
t
6A
名字
输出频率
占空比
= t
2
÷
t
1
上升时间
下降时间
输出到输出偏斜
延迟，楼盘上升沿
CLKOUT上升沿
测试条件
30 pF负载
10 pF负载
测量1.4V ，女
OUT
= 66.67
兆赫
测量0.8V之间
2.0V
测量0.8V之间
2.0V
所有输出同样装
测量V
DD
/2
民
10
10
40.0
–
–
–
–
典型值。
–
50.0
–
–
85
0
最大
100
133.33
60.0
2.50
2.50
250
±350
单位
兆赫
兆赫
%
ns
ns
ps
ps
笔记
5. REF的输入为V的阈值电压
DD
/2.
6.参数是通过设计和特性保证。不是100 ％生产测试。
文件编号： 38-07140牧师* I
第15 4
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
