CY2273A
最大额定值
（以上其中有用寿命可能受到损害。对于用户指南 -
线，没有测试。 ）
电源电压................................................ ..- 0.5〜 + 7.0V
输入电压.............................................. -0.5 V到V
DD
+0.5
储存温度（无冷凝） ... -65 ° C至+ 150°C
马克斯。焊接温度（ 10秒） ...................... + 260℃
结温............................................... + 150℃
封装功耗1W ..............................................
静电放电电压........................................... >2000V
（每MIL -STD -883方法3015 ，喜欢V
DD
引脚连在一起）
工作条件
[6]
参数
AV
DD
, V
DDQ3
V
DDCPU
V
DDQ2
T
A
C
L
CPU供电电压
IOAPIC电源电压
工作温度，环境
马克斯。电容负载
CPUCLK ， USBCLK ， IOAPIC
PCICLK ， AGP （-2只） ， SDRAM
REF0
基准频率振荡器标称值
描述
模拟和数字电源电压
分钟。
3.135
2.375
3.135
2.375
0
10
30, 20
20
14.318
马克斯。
3.465
2.9
3.465
2.9
70
20
30
45
14.318
兆赫
单位
V
V
V
°C
pF
f
（ REF ）
电气特性
在整个工作范围
参数
V
IH
V
IL
V
ILiic
V
OH
V
OL
V
OH
描述
高电平输入电压
低电平输入电压
低电平输入电压
除了水晶输入
除了水晶输入
I
2
只有C输入端
I
OH
= 16毫安CPUCLK
I
OH
= 18毫安IOAPIC
低电平输出电压
V
DDCPU
= V
DDQ2
= 2.375V
I
OL
= 27毫安CPUCLK
I
OL
= 29毫安IOAPIC
高电平输出电压V
DDQ3
， AV
DD
, V
DDCPU
= 3.135V
I
OH
= 16毫安CPUCLK
I
OH
= 36毫安SDRAM
I
OH
= 32毫安PCICLK
I
OH
= 26毫安USBCLK
I
OH
= 36毫安REF0
V
OL
低电平输出电压
V
DDQ3
， AV
DD
, V
DDCPU
= 3.135V
I
OL
= 27毫安CPUCLK
I
OL
= 29毫安SDRAM
I
OL
= 26毫安PCICLK
I
OL
= 21毫安USBCLK
I
OL
= 29毫安REF0
I
IH
I
IL
I
OZ
I
DD
I
DD
I
DDS
输入高电流
输入低电平电流
输出漏电流
电源电流
[7]
电源电流
[7]
掉电电流
V
IH
= V
DD
V
IL
= 0V
三态
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0或V
DD
，负载输出， CPU = 66.67 MHz的
V
DD
= 3.465V, V
IN
= 0或V
DD
，空载输出
电流消耗在掉电状态
–10
–10
+10
10
+10
300
120
500
µA
µA
µA
mA
mA
µA
0.4V
V
2.4
V
0.4
V
2.0
测试条件
分钟。马克斯。单位
2.0
0.8
0.7
V
V
V
V
高电平输出电压V
DDCPU
= V
DDQ2
= 2.375V
注意事项：
6.电气参数都保证这些工作条件。
7.电源电流与它运行的是产出数量而变化。
6
CYPRESS [ CYPRESS SEMICONDUCTOR ]
