华晶分立器件
1.2
1.1
1
0.9
0.8
0.7
0.6
-100
击穿电压，归
V
DS
=V
GS
ID=250μA
R
○
CS2N60FB9D
1.15
1.1
1.05
1.0
0.95
0.9
0.85
-100
I
D
=250μA
VGS （ th）时，阈值电压
-50
0
50
100
150
200
-50
TJ ，结温，C
0
50
100
TJ ，结温，C
150
200
图11典型Theshold电压随结温
250
图12典型击穿电压VS结温
14
VGS ，栅源电压，电压
200
电容，PF
150
100
50
V
GS
= 0V ， F = 1MHz的
西塞=的Cgs + Cgd的
COSS =硫化镉+ Cgd的
CRSS = Cgd的
12
10
8
6
4
2
0
VDS=480V
I
D
=1.5A
西塞
科斯
0
0
CRSS
10
20
30
40
VDS ，漏极至源极电压，电压
50
0
2
4
6
8
10
QG ，总栅极电荷， NC
12
14
图13典型电容VS漏极至源极电压
1.2
ISD ，反向漏电流，安培
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
VSD ，源极 - 漏极至源极电压，电压
图15典型的体二极管传输特点
+150℃
+25℃
-55℃
图14典型栅极电荷VS门源电压
10
ID ，漏电流，安培
起动TJ = 25 ℃
1
起动TJ = 150 ℃
0.1
如果R = 0 ：吨
AV
= （L * I
AS
) / (1.38V
DSS
-V
DD
)
如果R = 0 ：吨
AV
= （ L / R） 。在[ IAS * R / （ 1.38V
DSS
-V
DD
)+1]
R等于漏极电路的总串联电阻
0.01
1.00E-06
图16非钳位感应开关能力
2 0 11
1.00E-05 1.00E-04 1.00E-03 1.00E-02 1.00E-01
TAV ，时间在雪崩，秒
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT ð 。
P A G é 6华氏度1 0
CONSONANCE [ 上海如韵 ]
