华晶分立器件
特性曲线：
10
钯，功耗瓦
10μs
R
○
CS2N60FB9D
24
ID ， Drian电流，安培
1
10ms
100ms
DC
16
0 .1
在这一领域
可能是有限的R
DS （ ON）
8
0 .0 1
0 .0 0 1
1
T
J
=150℃
T
C
=25℃
单脉冲
0
10
100
V DS ，D RA的 - 到 - 源V Ø LTA GE ，V Ø LTS
1000
0
25
50
75
100
TC ，外壳温度，C
125
150
图1最高可正向偏置安全工作区
1 .7 5
1 .5
ID ，漏电流，安培
1 .2 5
1
0 .7 5
0 .5
0 .2 5
0
0
25
50
75
100
T C ，C为SE率T e米P·Eラ恩重，C
125
150
图2最高可功耗与外壳温度
1.6
1.4
ID ，漏源电压
1.2
1
V
GS
=8V
V
GS
=9V
V
GS
=10V
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0
5
10
15
20
VDS ，漏源电压，电压
25
30
V
GS
=5V
V
GS
=6V
图3最大连续漏极电流与外壳温度
1
50%
图4典型的输出特性
热阻抗， Normanlized
0.1
0.01
20%
10%
5%
2%
P
DM
0.001
0.0001
0.00001
0.00001
1%
t1
t2
单脉冲
注意事项：
占空比
：D=t1/
t2
PEAK TJ = P
DM
*Z
thJC
*R
thJC
+T
C
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
矩形脉冲持续时间，秒
图5最大有效散热交流阻抗，结到外壳
WUXICHINARESOURCESHUA JINGMICROELECTRONICSC O操作。 ， LT ð 。
P A G E 4华氏度1 0
2 0 11
CONSONANCE [ 上海如韵 ]
