华晶分立器件
100
跨导可能会限制
当前在这一地区
R
○
CS2N60FB9D
对于温度
在25℃以上降额峰值
当前，如下所示：
IDM ，峰值电流，安培
10
⎡
150
−
T
C
⎤
I
=
I
25
⎢
⎥
125
⎦
⎣
1
V
GS
=10V
0 .1
1 .0 0 E -0 5
1 .0 0 E -0 4
1 .0 0 E -0 3
1 .0 0 E - 0 2
1 .0 0 E - 0 1
T，P ü LS东西ID日，发E C 0 N D s
1 .0 0 E + 0 0
1 .0 0 E + 0 1
1.5
ID漏极至源极电流，安培
1.2
V
DS
=25V
图6最高可峰值电流能力
12
RDS（ON） ，漏极至源开
电阻，欧姆
11
10
9
8
7
6
0
2
4
6
8
VGS ，门源电压，电压
10
脉冲持续时间为10μs =
占空比系数= 0.5 ％ MAX
TC = 25
℃
I
D
=1.5A
I
D
0.75A
I
D
= 0.375A
0.9
0.6
0.3
0
图7典型的传输特性
14
RDS（ON） ，漏源导
性。欧
13
V
GS
=10V
6
8
10
12
14
VGS ，门源电压
，
伏
图8典型漏极至源极导通电阻VS栅极电压
和漏极电流
2.5
RDS（ON） ，漏源导
性，归一化
2
1.5
1
0.5
0
-100
4
V
GS
=10V
I
D
=250μA
12
11
10
9
0
0.3
0.6
0.9
ID ，漏电流，安培
1.2
1.5
-50
0
50
100
TJ ，结温，C
150
200
图9典型漏极至源极导通电阻
VS漏电流
图10典型Drian到源通电阻
VS结温
2 0 11
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P A G年5华氏度1 0
CONSONANCE [ 上海如韵 ]
