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GRM0225C1H3R4WA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
3 MURATA

GQM0335G2D220GB01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GMA085R72A102MA01#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

BD4233NUX

BD4233NUX is Strobe Charge Control IC, ideal for Digital still cameras, Mobile Phone. The strobe charge IC is a self-oscillating switching regulator that uses a transformer. It provides highly efficient applications for charging capacitors in sets with various strobes.
暂无信息
0 ROHM

GRM32D5C3A822FWA1#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

FAN7346MX

LED 电流平衡控制器,用于照明,4 沟道
驱动控制器光电二极管接口集成电路
0 ONSEMI

SCT3030ALHR

沟槽栅极结构的SiC-MOSFET。平面型SiC-MOSFET相比,同一芯片尺寸的导通电阻可降低50%,这将大幅降低太阳能发电用功率调节器和工业设备用电源、工业用逆变器等所有相关设备的功率损耗。
栅极调节器
1 ROHM

GRM0222C1C6R7WA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
1 MURATA

GRM0222C1E4R1BA03#

民用设备,工业设备,移动设备,植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C],汽车[信息娱乐 / 舒适设备]
医疗医疗器械
0 MURATA

GCM2195C1K113JA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

ISZ106N12LM6

This is a logic level 120 V MOSFET in PQFN 3.3 x 3.3 packaging with 10.6 mOhm on-resistance.  ISZ106N12LM6 is part of Infineon’s  OptiMOS™ 6 power MOSFET family.
暂无信息
0 INFINEON

PSMN0R9-25YLD

N-channel 25 V, 0.85 mΩ, 300 A logic level MOSFET in LFPAK56 using NextPowerS3 TechnologyProduction
开关脉冲晶体管
0 NEXPERIA

BM28723AMUV

BM1050AF是组合了应对高次谐波的功率因数校正(Power Factor Correction)转换器(以下简称PFC部)与DC/DC转换器(以下简称DC/DC部)的复合LSI。DC/DC部采用准谐振方式动作,有助于实现低EMI。BM1050AF内置650V耐压启动电路。PFC部、DC/DC部均外接开关MOSFET及电流检测电阻,可实现自由度高的电源设计。PFC部采用峰值电流控制。利用带AC电压过低补偿电路的乘法器、应对负载变动的电路、最大功率补偿电路等各种保护电路,提供合适的应用方案。此外,内置跳频功能,有助于实现低EMI。DC/DC部的准谐振方式为软开关动作,有助于实现低EMI。内置脉冲串模式,可降低轻负载时的功耗。内置了软启动功能、脉冲串功能、逐周期过电流限制、过电压保护、过负荷保护等各种保护功能。与微控制器间设有通信控制用端子、外部停止端子,可提供适用于各种应用的系统方案。
通信开关控制器微控制器软启动脉冲功率因数校正转换器
0 ROHM

GCM1885G2A751JA16#

汽车[动力总成 / 安全设备],汽车[信息娱乐 / 舒适设备],植入式以外的医疗器械设备 [GHTF A/B/C]
医疗医疗器械
0 MURATA

IDK08G120C5

The  CoolSiC™ Schottky diodes generation 5 1200 V, 8 A is now available in a D2PAK real 2-pin package. Connecting SiC diodes in parallel and in a small device package, a high efficient system can be achieved while minimizing board space requirement. The elimination of the middle pin reduces a risk of partial discharge at high voltage and high frequency operation.
暂无信息
0 INFINEON