CS51312GD16 参数 Datasheet PDF下载

型号：	CS51312GD16
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内容描述：	CPU同步降压控制器12V只有应用 [Synchronous CPU Buck Controller for 12V Only Applications]
分类和应用：	开关光电二极管控制器
文件页数/大小：	18 页 / 277 K
品牌：	CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]

应用信息：继续

哪里

CIN （ RMS ）

=输入电容RMS功率损耗;

CIN （ RMS ）

=总输入电流有效值;

ESR

CIN

=总输入电容的ESR 。

第6步：选择输入电感的

一个常见的要求是降压控制器必须

不干扰输入电压。实现的一种方法

这是通过使用输入电感器和旁路电容器。

输入电感隔离噪音的供给gen-

erated在降压稳压器的开关部分和

也限制了浪涌电流到输入电容器

上电时。在输入电感器的限流作用

电流转换速率变得越来越过程中有益

负载瞬变。最坏的情况是在负载变化时，

从空载到满载（负载阶跃），下一个条件

横跨输入的最高电压变化电容

器还可以看出通过输入电感。电感suc-

功地阻止，而把转录的纹波电流

输入旁路电容电流过性要求

银行，其中有初步支持在突加负载

改变。

为输入电感的最小电感值是

因此：

∆V

（ di / dt的）

最大

用于电流和电阻而不能使有效值

真正的功率计算。的开关速度快

MOSFET使得它不可缺少的用于高频功率

电源应用。不仅是开关功率损耗

最小化，而且最大可用的开关频

昆西是相当高的。切换时间indepen-

凹痕温度。此外，在更高的频率，利用

更小，更轻的组件（变压器，滤波电抗器，

滤波电容），降低了整体部件成本的同时，

使用更少的空间，提高包装效率在较低

体重。

所述MOSFET具有纯容性输入阻抗。没有

直流电流是必需的。重要的是要记住的很重要

FET的漏极电流具有负温度coeffi-

cient 。温度上升将导致导通电阻较高

和更大的漏电流。 V

DS （ ON）

应该是低到最小值，以

减小电能消耗在给定的我

和V

应

高做到这一点。 MOSFET的开关时间

由器件的电容，寄生电容，并确定

栅极驱动电路的阻抗。因此，门driv-

ING电路必须具有高瞬时电流峰值sourc-

荷兰国际集团和吸收能力，用于切换MOSFET。该

输入电容，输出电容和反向传输

电容也有增加的设备额定电流应增加

ING 。

两方面的考虑估计复杂的任务

开关时间。首先，由于输入的幅度

电容C

国际空间站

，随V

的RC时间常数

通过将栅极驱动器阻抗和C确定

国际空间站

变化

在开关周期。因此，计算

栅极电压的通过使用特定的网关的上升时间

驱动器阻抗和输入电容只能得到一个粗略的

估计。第二个考虑是的效果

“米勒”电容C

RSS

，其称为C

下面的讨论。例如，当设备打开时，

DS （ ON）

相当小， V

为12V左右。 ç

充电到V

DS （ ON）

−

，这是一个负电位，如果

漏被认为是正极。当

排水是“关” ，C

被充电到一个完全不同的电势。

在这种情况下， C两端的电压

是因为正值

电位从栅极到源极接近零伏和V

基本上与漏极电压。在导通和

关断，这些大的波动在栅 - 漏电压税

电流源和栅极驱动器的下沉能力。

除了充电和放电Ç

中，栅极驱动器

还必须提供所要求的位移电流

门

= C

/ DT ）。除非栅极驱动

阻抗是很低的，在V

常用的波形

期间，在漏 - 源电压的快速变化的高原

年龄。

的场效应晶体管性能的最重要的方面是静

漏极 - 源极导通电阻（R

DS （ ON）

），其效果

稳压器的效率和场效应管的热管理要求一

求。的导通电阻来确定电流的量

租一个FET可以处理无功耗过大

这可能会导致过热和潜在的灾难性

失败。作为漏电流的增大，特别是高于CON组

连续的等级中，导通电阻也增大。其位置

略去温度系数为+ 0.6 ％/℃之间

+ 0.85 ％/℃ 。较高的导通电阻较大的

导通损耗。此外， FET的栅极电荷

应低，以最小化开关损耗和

降低功耗。

两个逻辑电平与标准场效应晶体管都可以使用。

CS51312

哪里

=输入电感值;

∆V

=电压在一个充满了输入电感

空载摆动;

（ di / dt的）

最大

=最大允许输入电流转换

率。

设计人员必须选择LC滤波器的极点频率，

在调节器中获得的进行至少40dB的衰减

开关频率。 LC滤波器是一个双刀网络

同的斜率的工作

−2,

-40dB / DEC的滚降率，以及

转角频率：

哪里

L =输入电感;

C =输入电容（S ）。

第7步：选择功率FET

场效应管基础知识

利用MOSFET的一个电源开关被推进

两个原因：

1 ）它非常高的输入阻抗;

和

2 ）它非常

较快的开关速度。

一个MOSFET导的电特性

FET被认为是那些完美开关。控制

和驱动电路的功率，因此减少了。因为

输入阻抗是如此之高，这是电压驱动。输入

MOSFET的作用就好像它是一个小的电容器，其

驱动电路必须在充电开启。越低的

驱动器阻抗，V的上升率越高

和

更快的时间内开启。在开关功耗

MOSFET组成1 ）导通损耗， 2 ）泄漏损失，

3 ）导通开关损耗， 4 ）关断开关损耗，

和5）栅极 - 过渡损失。后三种损失

与频率成比例。为进行电源耗散

2π LC

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