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CS51312GD16 参数 Datasheet PDF下载

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型号: CS51312GD16
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内容描述: CPU同步降压控制器12V只有应用 [Synchronous CPU Buck Controller for 12V Only Applications]
分类和应用: 开关光电二极管控制器
文件页数/大小: 18 页 / 277 K
品牌: CHERRY [ CHERRY SEMICONDUCTOR CORPORATION ]
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CS51312
应用信息:继续
哪里
ΔI /ΔT
=负载电流的转换速率(高达20A / μs)内;
∆V
ESL
=变化引起的输出电压ESL 。
实际的最大可允许的ESL可由下式确定
用公式:
ESL
最大
=
ESL
输出电容器的数量
,
T
ON
=
占空比
,
F
SW
其中, ESL
=每最大的电容器ESL (这是估
编一个10
×
12毫米铝电解电容器
4nH的约封装电感的) 。
由于实际马克西实际输出电压的偏差
妈妈ESL就可以得到验证:
∆V
ESL
=
ESL
最大
×
∆I
∆t
.
其中f
SW
=由所选择的调节器的开关频率
设计师。
更高的工作频率允许使用更小的
电感和电容值。然而,这是常见的
选择较低的频率运转,因为更高的频
昆西导致较低的效率,由于MOSFET的栅极
电荷损失。另外,在使用较小的电感器
更高的频率产生更高的纹波电流,高
输出电压纹波,并在轻负载下的效率
电流。
步骤3b :开关关断时间的计算
开关关断时间(时间在开关
的MOSFET不导通),可由下式确定:
T
关闭
=
1
F
SW
T
ON
,
设计师现在必须确定输出的变化
在转录过程中的电压,由于输出电容放电
过性:
∆V
=
∆I
×
∆t
TR
C
OUT
,
了C
关闭
电容值,以便设定被选择
关断时间,T
关闭
上面:
C
关闭
=
×
(1
D)
,
3980
哪里
∆t
TR
=输出电压的瞬态响应时间
(由设计者指定) ;
∆V
=由于输出电容的输出电压偏差
器放电;
∆I
=负载的一步。
在输出电压的总变化作为负荷的结果,电流
租金瞬态可以通过下面的公式进行验证:
∆V
OUT
=
∆V
ESR
+
∆V
ESL
+
∆V
第3步:选择占空比,
开关频率,开关导通时间(T
ON
)
和开关关断时间(T
关闭
)
降压转换器的占空比(包括寄生
损失)是由下式给出:
占空比= D =
V
OUT
+ (V
HFET
+ V
L
+ V
)
,
V
IN
+ V
LFET
V
HFET
V
L
哪里
3980是CS51312的特征因子;
D =占空比。
第4步:选择输出电感器
电感器应根据它的电感来选择
电流能力,并且直流电阻。增加电感
器值将降低输出电压纹波,但降低
瞬态响应。有许多因素要考虑
选择电感器,包括成本,效率, EMI和
便于制造。电感器必须能够处理
的峰值电流在开关频率不饱和
等级,并且在卷绕所述的铜电阻应
保持尽可能低,以最小化电阻功率损耗。
有多种材料和类型的磁
芯可用于这种应用。其中
有铁氧体,钼坡莫合金铁芯( MPP ) ,非晶
铁粉芯。铁粉芯是非常的COM
常用的。铁粉芯是非常适合的,因为
它们的高饱和磁通密度和具有高损耗低
频率,分布式间隙,并表现出非常低的EMI。
电感值可由下式确定:
L=
(V
IN
V
OUT
)
×
t
TR
∆Ι
,
哪里
V
OUT
=降压稳压器的输出电压;
V
HFET
=高侧FET的电压,由于与R降
DS ( ON)
;
V
L
=由于导线电感输出电感器压降
直流电阻;
V
=下垂(电流检测)电阻上的电压降;
V
IN
=降压稳压器的输入电压;
V
LFET
=由于与R低侧FET的电压降
DS ( ON)
.
Step3a :计算开关导通时间
开关导通时间(时间,在此期间的开关
MOSFET同步降压拓扑结构进行)的
由下式确定:
11
哪里
V
IN
=输入电压;
V
OUT
=输出电压;
t
TR
=输出电压的瞬态响应时间(分配
由设计者) ;
∆I
=负载瞬态。
电感纹波电流然后可确定:
∆I
L
=
V
OUT
×
T
关闭
L
,