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2N7002ESPT 参数 Datasheet PDF下载

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型号: 2N7002ESPT
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 515 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2N7002ESPT )
典型电气特性
(续)
图8.体二极管正向电压
变化与漏电流
2
1
图7.栅源阈值电压
随温度
3.5
I
D
= 1mA时, V
DS
=V
GS
阈值电压( V)
I
S
,反向漏电流( A)
3.0
2.5
2.0
1.5
分钟。
1.0
0.5
0
-50
典型值。
V
GS
= 0 V
V
GS ( TH)
,栅源
0 .5
TJ = 1 5 0 ℃,
0 .1
0 .0 5
25°C
0 .0 1
0 .0 0 5
-25
0
25
50
75
100
T
J
,结tem温度( ° C)
125
150
0 .0 0 1
0 .2
0 .4
V
SD
0 .6
0 .8
1
1 .2
1 .4
,体二极管正向电压( V)
图9.电容特性
g
fs
,正向跨导(S )
60
40
20
10
5
.25
图10.正向跨导
T
J
= 2 5
O
C
.20
电容(pF)
ç国际空间站
.15
ç OSS
.10
T
J
= 1 5 0
O
C
2
1
F = 1 MH ž
V
GS
= 0V
1
2
V
DS
3
5
10
20
,漏源极电压( V)
30
.05
ç RSS
50
0
0
0 .1
0 .2
0 .3
I
D
,漏电流( A)
0 .4
0.5
图11 。
图12.开关波形
V
DD
t
D(上)
t
on
t
r
90%
t
关闭
t
D(关闭)
90%
t
f
V
IN
D
R
L
V
OUT
DUT
输出时,VOUT
V
GS
10%
10%
90%
R
G
输入,输入电压
10%
50%
50%
S
脉冲宽度