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2N7002ESPT 参数 Datasheet PDF下载

2N7002ESPT图片预览
型号: 2N7002ESPT
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内容描述: N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
分类和应用: 晶体晶体管
文件页数/大小: 5 页 / 515 K
品牌: CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
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额定值特性曲线( 2N7002ESPT )
电气特性
T
符号
参数
A
= 25 ° C除非另有说明
条件
典型值
最大
单位
开关特性
BV
DSS
I
DSS
I
GSSF
I
GSSR
漏源击穿电压
零栅极电压漏极电流
门 - 体泄漏,正向
门 - 体泄漏,反向
(注1 )
V
GS
= 0 V,I
D
= 10 µA
V
DS
= 48 V, V
GS
= 0 V
T
J
=150°C
V
GS
= 15 V, V
DS
= 0 V
V
GS
= -15 V, V
DS
= 0 V
60
75
1.0
10
500
-500
V
µA
uA
nA
nA
基本特征
V
GS ( TH)
R
DS ( ON)
g
FS
栅极阈值电压
V
DS
= V
GS
, I
D
= 1.0毫安
V
GS
= 4.5 V,I
D
= 75毫安
1
2.0
2.8
3.8
2.5
5.0
5.3
V
静态漏源导通电阻V
GS
= 10 V,I
D
= 500毫安
正向跨导
V
DS
= 10 V
DS ( ON)
, I
D
= 200 mm的
100
mS
300
动态特性
C
国际空间站
C
OSS
C
RSS
t
on
t
关闭
输入电容
输出电容
反向传输电容
开启时间
打开-O FF时间
V
DS
= 10 V, V
GS
= 0 V,
F = 1.0 MHz的
13
8
4
3
9
40
30
10
10
15
pF
V
DD
= 50 V ,R
L
= 250
,
V
GS
= 10 V ,R
= 50
V
DD
= 50 V ,R
L
= 250
,
V
GS
= 10 V ,R
= 50
nS
nS
漏源二极管的特性和最大额定值
I
S
I
SM
V
SD
t
rr
Q
r
最大连续漏源二极管的正向电流
最大脉冲漏源二极管的正向电流
漏源二极管正向
电压
反向恢复时间
恢复电荷
V
GS
= 0 V,I
S
= 200毫安
(注1 )
I
S
= 300毫安,二
S
/ DT = -100 A /美
V
GS
= 0 V, V
DS
= 25 V
0.85
30
30
300
1.2
1.5
mA
A
V
nS
nC
注意:
1.脉冲测试:脉冲宽度& LT ; 300μS ,占空比& LT ; 2.0%。