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    2N7002ESPT 参数 Datasheet PDF下载

    2N7002ESPT图片预览
    型号： 2N7002ESPT
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    内容描述： N沟道增强型网络场效晶体管 [N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor]
    分类和应用： 晶体晶体管
    文件页数/大小： 5 页 / 515 K
    品牌： CHENMKO [ CHENMKO ENTERPRISE CO. LTD. ]
     浏览型号2N7002ESPT的Datasheet PDF文件第1页浏览型号2N7002ESPT的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2N7002ESPT的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2N7002ESPT的Datasheet PDF文件第5页  
    额定值特性曲线（ 2N7002ESPT ）
    典型电气特性
    图1.区域特征
    . 0.5
    10
    图2.导通电阻变化与门
    电压和漏极电流
    9
    TJ = 250
    I
    D
    ，漏源电流（A ）
    R
    DS （ ON）
    归一化
    漏源导通电阻
    0.4
    V
    GS
    =3.5V
    .
    4.0
    .
    TJ = 250
    V
    GS
    = 10V
    8
    7
    6
    5
    4
    3
    2
    1
    5
    0
    0 .1
    . 0.3
    4.5
    4.0
    3.5
    3.0
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    V
    DS
    ，漏源电压（V ）
    2.5
    4.5
    0.2
    10
    0.1
    0
    0 .2
    0.3
    I
    D
    ， DRA电流（ A）
    0.4
    0.5
    图3.导通电阻变化
    随温度
    3.0
    图4.亚阈值漏电流
    与栅 - 源电压
    1 0
    -1
    R
    DS （ ON）
    /R
    DS （ ON）
    25
    O
    C
    归
    漏源导通电阻
    2.5
    2.0
    1.5
    1.0
    0.5
    0
    -5 0
    10
    -2
    I
    D
    ， DRAINCURRENT （ A）
    10
    -3
    分钟。
    典型值。
    10
    -4
    10
    -5
    -2 5
    0
    25
    50
    75
    100
    T
    J
    ，结牛逼emperature （ ° C）
    125
    150
    10
    -6
    0
    0.5
    1.0
    1.5
    2.0
    V
    GS
    ，栅源电压（V ）
    2.5
    3.0
    图5.传输特性
    0.5
    120
    图6.功率降额曲线
    V
    DS
    ＆ GT ;我
    D
    XR
    DSON
    0.4
    I
    D
    ，漏电流（ A）
    Pder=Ptot/Ptot(25
    O
    C）功率比（ ％ ）
    100
    80
    60
    40
    20
    0
    TJ = 25°C
    0.3
    1 50 ° C
    0.2
    0.1
    0
    0
    2
    4
    6
    8
    V
    GS
    ，门源电压（ V）
    10
    0
    25
    50
    75
    100
    125
    150
    T
    J
    ，结tem温度（ ° C）
    175
    200

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