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NE68819-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE68819-T1-A图片预览
型号: NE68819-T1-A
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内容描述: 表面贴装NPN硅高频三极管 [SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 348 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE688 SERIES  
NE68830 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
Q1  
CCBPKG  
CCB  
LCX  
LC  
Collector  
LBX  
LB  
Base  
CCE  
CCEPKG  
LE  
CBEPKG  
LEX  
Emitter  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
UNITS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
IS  
Q1  
3.8e-16  
135.7  
1
Parameters  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
Q1  
0.48  
0.56  
0
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
BF  
NF  
VAF  
IKF  
28  
0.75  
0
volts  
0.6  
current  
amps  
ISE  
3.8e-15  
1.49  
0.75  
11e-12  
0.36  
0.65  
0.61  
50  
NE  
TF  
BR  
12.3  
XTF  
VTF  
ITF  
ADDITIONAL PARAMETERS  
NR  
1.1  
Parameters  
68830  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
3.5  
CCB  
0.24e-12  
0.27e-12  
0.5e-9  
0.06  
PTF  
TR  
CCE  
3.5e-16  
1.62  
32e-12  
1.11  
0
LB  
EG  
LE  
0.86e-9  
0.08e-12  
0.04e-12  
0.04e-12  
0.2e-9  
RE  
0.4  
XTB  
XTI  
CCBPKG  
CCEPKG  
CBEPKG  
LBX  
RB  
6.14  
3
RBM  
IRB  
RC  
3.5  
KF  
0
0.001  
4.2  
AF  
1
LCX  
0.1e-9  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
0.796e-12  
0.71  
LEX  
0.2e-9  
0.38  
MODEL RANGE  
Frequency: 0.05 to 3.0 GHz  
0.549e-12  
0.65  
Bias:  
Date:  
VCE = 1 V to 5 V, IC = 1 mA to 10 mA  
10/11/96  
(1) Gummel-Poon Model  
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