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NE68819-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE68819-T1-A图片预览
型号: NE68819-T1-A
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内容描述: 表面贴装NPN硅高频三极管 [SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 348 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE688 SERIES  
NE68818 NONLINEAR MODEL  
CCBPKG  
SCHEMATIC  
CCB  
LCX  
Collector  
LBX  
LB  
LC  
Base  
CCE  
CCEPKG  
LE  
CBEPKG  
LEX  
Emitter  
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
UNITS  
Parameters  
IS  
Q1  
3.8e-16  
135.7  
1
Parameters  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
Q1  
0.48  
0.56  
0
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
BF  
NF  
VAF  
IKF  
28  
0.75  
0
volts  
0.6  
current  
amps  
ISE  
3.8e-15  
1.49  
0.75  
11e-12  
0.36  
0.65  
0.61  
50  
NE  
TF  
BR  
12.3  
XTF  
VTF  
ITF  
ADDITIONAL PARAMETERS  
NR  
1.1  
Parameters  
CCB  
68818  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
3.5  
0.24e-12  
0.27e-12  
0.9e-9  
0.06  
PTF  
TR  
CCE  
3.5e-16  
1.62  
32e-12  
1.11  
0
LB  
EG  
LC  
0.52e-9  
0.7e-9  
RE  
0.4  
XTB  
XTI  
LE  
RB  
6.14  
3
CCBPKG  
CCEPKG  
CBEPKG  
LBX  
0.001e-12  
0.07e-12  
0.11e-12  
0.18e-9  
0.18e-9  
0.09e-9  
RBM  
IRB  
RC  
3.5  
KF  
1.5e-14  
1.22  
0.001  
4.2  
AF  
LCX  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
0.796e-12  
0.71  
LEX  
0.38  
MODEL RANGE  
Frequency: 0.5 to 6.0 GHz  
0.549e-12  
0.65  
Bias:  
Date:  
VCE = 1 V to 5 V, IC = 1 mA to 10 mA  
5/97  
(1) Gummel-Poon Model