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NE68819-T1-A 参数 Datasheet PDF下载

NE68819-T1-A图片预览
型号: NE68819-T1-A
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内容描述: 表面贴装NPN硅高频三极管 [SURFACE MOUNT NPN SILICON HIGH FREQUENCY TRANSISTOR]
分类和应用:
文件页数/大小: 20 页 / 348 K
品牌: CEL [ CALIFORNIA EASTERN LABS ]
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NE688 SERIES  
NE68800 NONLINEAR MODEL  
SCHEMATIC  
Q1  
C
CB  
L
B
LC  
C
CE  
L
E
BJT NONLINEAR MODEL PARAMETERS (1)  
UNITS  
Parameter  
time  
Units  
seconds  
farads  
henries  
ohms  
Parameters  
IS  
Q1  
3.8e-16  
135.7  
1
Parameters  
MJC  
XCJC  
CJS  
VJS  
MJS  
FC  
Q1  
0.48  
0.56  
0
capacitance  
inductance  
resistance  
voltage  
BF  
NF  
VAF  
IKF  
28  
0.75  
0
volts  
0.6  
current  
amps  
ISE  
3.8e-15  
1.49  
0.75  
11.0e-12  
0.36  
0.65  
0.61  
50  
NE  
TF  
BR  
12.3  
XTF  
VTF  
ITF  
ADDITIONAL PARAMETERS  
NR  
1.1  
Parameters  
68800  
0.24e-12  
0.27e-12  
0.72e-9  
0.51e-9  
0.19e-9  
VAR  
IKR  
ISC  
NC  
3.5  
CCB  
CCE  
LB  
0.06  
PTF  
TR  
3.5e-16  
1.62  
0.032e-9  
1.11  
0
EG  
Lc  
RE  
0.4  
XTB  
XTI  
LE  
RB  
6.14  
3
RBM  
IRB  
RC  
3.5  
KF  
0
MODEL RANGE  
0.001  
4.2  
AF  
1
Frequency: 0.1 to 10.0 GHz  
Bias:  
P1dB:  
Date:  
VCE = 1 V to 3 V, IC = 1 mA to 10 mA  
12.5 dBm at VCE = 3 V, Ic = 10 mA, 2 GHz  
10/3/96  
CJE  
VJE  
MJE  
CJC  
VJC  
0.796e-12  
0.71  
0.38  
0.549e-12  
0.65  
(1) Gummel-Poon Model